ЖК индикаторы и дисплеи KEEN SIDE

Datasheet TK2P90E (Toshiba) - 2

ПроизводительToshiba
ОписаниеMOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOSVIII)
Страниц / Страница9 / 2 — TK2P90E. 5. Thermal. Characteristics. Characteristics. Symbol. Max. Unit. …
Формат / Размер файлаPDF / 334 Кб
Язык документаанглийский

TK2P90E. 5. Thermal. Characteristics. Characteristics. Symbol. Max. Unit. Channel-to-case. thermal. resistance. Rth(ch-c). 1.56. /W. Note. 1:. Ensure

TK2P90E 5 Thermal Characteristics Characteristics Symbol Max Unit Channel-to-case thermal resistance Rth(ch-c) 1.56 /W Note 1: Ensure

27 предложений от 11 поставщиков
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2A; Idm: 6A; 80W; DPAK
Microfind
Россия
TK2P90E,RQ(S
Toshiba
26 ₽
Элитан
Россия
TK2P90E.RQ
Toshiba
73 ₽
TK2P90E,RQ(S
Toshiba
от 113 ₽
TK2P90E,RQ(S
Toshiba
от 121 ₽
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

TK2P90E 5. Thermal Characteristics Characteristics Symbol Max Unit Channel-to-case thermal resistance Rth(ch-c) 1.56 /W Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150 . Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25 (initial), L = 72.3 mH, RG = 25 Ω, IAR = 2 A Note: This transistor is sensitive to electrostatic discharge and should be handled with care. 2 2014-09-17 Rev.3.0
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка