Источники питания KEEN SIDE

Datasheet J174, J175, J176, J177 (Philips) - 4

ПроизводительPhilips
ОписаниеP-channel silicon field-effect transistors
Страниц / Страница6 / 4 — DYNAMIC CHARACTERISTICS. J174. J175. J176 J177
Формат / Размер файлаPDF / 32 Кб
Язык документаанглийский

DYNAMIC CHARACTERISTICS. J174. J175. J176 J177

DYNAMIC CHARACTERISTICS J174 J175 J176 J177

АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Philips Semiconductors Product specification J174; J175; P-channel silicon field-effect transistors J176; J177
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified Input capacitance, f = 1 MHz VGS = 10 V; VDS = 0 V Cis typ. 8 pF VGS = VDS = 0 Cis typ. 30 pF Feedback capacitance, f = 1 MHz VGS = 10 V; VDS = 0 V Crs typ. 4 pF Switching times (see Fig.2 + 3)
J174 J175 J176 J177
Delay time td typ. 2 5 15 20 ns Rise time tr typ. 5 10 20 25 ns Turn-on time ton typ. 7 15 35 45 ns Storage time ts typ. 5 10 15 20 ns Fall time tf typ. 10 20 20 25 ns Turn-off time typ. 15 30 35 45 ns toff Test conditions: −VDD 10 6 6 6 V VGS off 12 8 6 3 V RL 560 1200 2000 2900 Ω VGS on 0 0 0 0 V − V handbook, halfpage VDD GSoff 90% 50 Ω INPUT V 10% out RL 10% 10% Vin D.U.T OUTPUT 90% 90% 50 Ω tf tr t t MBK292 s d MBK293 Fig.2 Switching times test circuit. Fig.3 Input and output waveforms; td + tr = ton ; ts + tf = toff. April 1995 4 Document Outline DESCRIPTION PINNING QUICK REFERENCE DATA RATINGS THERMAL RESISTANCE STATIC CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS PACKAGE OUTLINE SOT54 DEFINITIONS
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка