На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet Si2399DS (Vishay) - 5

ПроизводительVishay
ОписаниеP-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Страниц / Страница10 / 5 — Si2399DS. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating*. Power, …
Формат / Размер файлаPDF / 214 Кб
Язык документаанглийский

Si2399DS. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating*. Power, Junction-to-Foot. Power, Junction-to-Ambient

Si2399DS TYPICAL CHARACTERISTICS Current Derating* Power, Junction-to-Foot Power, Junction-to-Ambient

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Si2399DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
(25 °C, unless otherwise noted) 8 6 (A) Package Limited rent 4 in Cur ra D - I D 2 0 0 25 50 75 100 125 150 T - Case Temperature (°C) C
Current Derating*
3 1 2.5 0.8 2 0.6 (W) (W) 1.5 wer wer o o P P 0.4 1 0.2 0.5 0 0 0 25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 T - Case Temperature (°C) T - Ambient Temperature (°C) C A
Power, Junction-to-Foot Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit. Document Number: 67343 www.vishay.com S11-0239-Rev. A, 14-Feb-11 5
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России