KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet BC516 (ON Semiconductor) - 2

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеPNP Darlington Transistor
Страниц / Страница4 / 2 — BC516. Thermal Characteristics. — PNP Darlington T. Symbol. Parameter. …
Формат / Размер файлаPDF / 255 Кб
Язык документаанглийский

BC516. Thermal Characteristics. — PNP Darlington T. Symbol. Parameter. Max. Unit. Note:. rans. Electrical Characteristics. istor. Conditions

BC516 Thermal Characteristics — PNP Darlington T Symbol Parameter Max Unit Note: rans Electrical Characteristics istor Conditions

22 предложений от 16 поставщиков
Фиксированный стабилизатор с малым падением напряжения, AEC-Q100, 2.3В до 6В, 250мВ падение, 3.3В/1А
Триема
Россия
LQG15HN12NJ02D
Murata
2.00 ₽
BC516, Транзистор PNP составной 30В 0.4А 0.625Вт [TO-92]
Fairchild
3.07 ₽
MCP1826ST-3302E/DB
Microchip
от 154 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BC516_D27Z
289 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC516 Thermal Characteristics
(1) Values are at T
— PNP Darlington T
A = 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Max. Unit
PD Total Device Dissipation, TA = 25°C 625 mW RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 200 °C/W RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case 83.3 °C/W
Note:
1. PCB size: FR-4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch) with minimum land pattern size.
rans Electrical Characteristics
(2)
istor
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
VCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -2 mA, IB = 0 -30 V VCBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = -100 μA, IE = 0 -40 V VEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = -10 μA, IC = 0 -10 V ICBO Collector Cut-Off Current VCB = -30 V, IE = 0 -100 nA hFE DC Current Gain IC = -20 mA, VCE = -2 V 30,000 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = -100 mA, IB = -0.1 mA -1 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC = -10 mA, VCE = -5 V -1.4 V fT Current Gain - Bandwidth Product(3) IC = -10 mA, VCE = -5 V, 200 MHz f = 100 MHz
Notes:
2. Pulse test: pulse width ≤ 2.0% 3. fT = IhfeI · ftest www.onsemi.com 2
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России