Datasheet PMV20EN (Nexperia) - 9
| Производитель | Nexperia |
| Описание | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| Страниц / Страница | 15 / 9 — Nexperia. PMV20EN. 30 V, N-channel Trench MOSFET. Fig. 15. Gate charge … |
| Версия | 05072018 |
| Формат / Размер файла | PDF / 324 Кб |
| Язык документа | английский |
Nexperia. PMV20EN. 30 V, N-channel Trench MOSFET. Fig. 15. Gate charge waveform definitions
24 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,8А; 1,2Вт; SOT23,TO236AB |
| PMV20ENR
NXP | 9.37 ₽ | |
| PMV20ENR
Nexperia | от 9.76 ₽ | |
| PMV20ENR
| по запросу | |
| PMV20ENR
Nexperia | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
Nexperia PMV20EN 30 V, N-channel Trench MOSFET
017aaa551 10 V VDS GS (V) I 8 D VGS(pl) 6 VGS(th) 4 VGS QGS2 QGS1 2 QGS QGD QG(tot) 003aaa508 0
Fig. 15. Gate charge waveform definitions
0 2 4 6 8 QG (nC) ID = 5 A; VDS = 15 V; Tamb = 25 °C
Fig. 14. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values
017aaa552 2.5 IS (A) 2.0 1.5 1.0 Tj = 150 °C Tj = 25 °C 0.5 0.00.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD (V) VGS = 0 V
Fig. 16. Source current as a function of source-drain voltage; typical values 11. Test information
t1 P duty cycle δ = t t 2 2 t1 t 006aaa812
Fig. 17. Duty cycle definition
PMV20EN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2018. Al rights reserved
Product data sheet 5 July 2018 9 / 15
Document Outline 1. General description 2. Features and benefits 3. Applications 4. Quick reference data 5. Pinning information 6. Ordering information 7. Marking 8. Limiting values 9. Thermal characteristics 10. Characteristics 11. Test information 12. Package outline 13. Soldering 14. Revision history 15. Legal information Contents
Купить PMV20ENR на РадиоЛоцман.Цены — от 2.83 до 206 ₽
