Datasheet IRLR024NPbF, IRLU024NPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	11 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 316 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRLR024NTRLPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 2 817 ₽ 30 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-Транзистор. Электронные компоненты находятся на складе в Санкт-Петербурге. Доставка по РФ максимум 2-3 дня
AiPCBA Весь мир	IRLR024NTRLPBF Infineon	28 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRLR024NTRLPBF Infineon	от 31 ₽
Maybo Весь мир	IRLR024NTRLPBF Infineon	73 ₽
ИМЭК Россия и страны ТС	IRLR024NTRLPbF Infineon	136 ₽

Модельный ряд для этого даташита

IRLR024N

IRLR024NPBF IRLR024NPBF IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF IRLR024NTRRPBF IRLR024NTRRPBF

IRLU024N

IRLU024NPBF IRLU024NPBF

Текстовая версия документа

IRLR/U024NPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • Driver same type as D.U.T. - VDD • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period VGS=10V * D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFET® MOSFETs www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring