Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet IRIS4015 (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеIntegrated Switcher
Страниц / Страница6 / 3 — IRIS4015(K). Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)). Symbol. …
Формат / Размер файлаPDF / 66 Кб
Язык документаанглийский

IRIS4015(K). Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)). Symbol. Definition. Min. Typ. Max. Units Test Conditions

IRIS4015(K) Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)) Symbol Definition Min Typ Max Units Test Conditions

6 предложений от 6 поставщиков
new in stock for immediate delivery
МосЧип
Россия
IRIS4015K
International Rectifier
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IRIS4015K
по запросу
Maybo
Весь мир
IRIS4015K
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IRIS4015K
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRIS4015(K) Electrical Characteristics (for Control Part (MIC))
VCC = 18V, (TA = 25°C) unless otherwise specified.
Symbol Definition Min. Typ. Max. Units Test Conditions
VCCUV+ VCC supply undervoltage positive going threshold 14.4 16 17.6 V VCCHYS VCC supply undervoltage lockout hysteresis 5.4 6.0 6.6 IQCCUV UVLO mode quiescent current — — 100 µA VCC < VCCUV- IQCC Quiescent operating VCC supply current — — 30 mA TOFF(MAX) Maximum OFF time 40 — 60 T µ TH(2) Minimum input pulse width for quasi resonant signals — — 1.0 sec TOFF(MIN) Minimum OFF time — — 1.5 VTH(1) OCP/FB terminal threshold voltage 1 0.68 0.73 0.78 V VTH(2) OCP/FB terminal threshold voltage 2 1.3 1.45 1.6 IOCP/FB OCP/FB terminal sink current 1.1 1.35 1.7 mA VCC(OVP) VCC overvoltage protection limit 20.5 22.5 24.5 V IIN(H) Latch circuit sustaining current — — 400 µA VIN(LaOFF) Latch circuit reset voltage 6.6 — 8.4 V TJ(TSD) Thermal shutdown activation temperature 140 — — oC
Electrical Characteristics (for MOSFET)
(TA = 25°C) unless otherwise specified.
Symbol Definition Min. Typ. Max. Units Test Conditions
VDSS Drain-to-source breakdown voltage 650 — — V IDSS Drain leakage current — — 25 µA Vds=650V, VGS=0V RDS(ON) On-resistance — — 0.97 Ω V3-1=10V, ID=8.8A tr Rise time (10% to 90%) — — 310 ns THj-C Thermal resistance — — 0.53 oC/W Between junction and case www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка