Поставки продукции Megawin по официальным каналам - микроконтроллеры, мосты USB-UART

Datasheet IRIS4015 (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеIntegrated Switcher
Страниц / Страница6 / 3 — IRIS4015(K). Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)). Symbol. …
Формат / Размер файлаPDF / 66 Кб
Язык документаанглийский

IRIS4015(K). Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)). Symbol. Definition. Min. Typ. Max. Units Test Conditions

IRIS4015(K) Electrical Characteristics (for Control Part (MIC)) Symbol Definition Min Typ Max Units Test Conditions

15 предложений от 14 поставщиков
Чип стабилизации напряжения, IC SWITCH PWR 650V 8A TO-220-5
EIS Components
Весь мир
IRIS4015
64 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRIS4015K
по запросу
TradeElectronics
Россия
IRIS4015
International Rectifier
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
IRIS4015K
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRIS4015(K) Electrical Characteristics (for Control Part (MIC))
VCC = 18V, (TA = 25°C) unless otherwise specified.
Symbol Definition Min. Typ. Max. Units Test Conditions
VCCUV+ VCC supply undervoltage positive going threshold 14.4 16 17.6 V VCCHYS VCC supply undervoltage lockout hysteresis 5.4 6.0 6.6 IQCCUV UVLO mode quiescent current — — 100 µA VCC < VCCUV- IQCC Quiescent operating VCC supply current — — 30 mA TOFF(MAX) Maximum OFF time 40 — 60 T µ TH(2) Minimum input pulse width for quasi resonant signals — — 1.0 sec TOFF(MIN) Minimum OFF time — — 1.5 VTH(1) OCP/FB terminal threshold voltage 1 0.68 0.73 0.78 V VTH(2) OCP/FB terminal threshold voltage 2 1.3 1.45 1.6 IOCP/FB OCP/FB terminal sink current 1.1 1.35 1.7 mA VCC(OVP) VCC overvoltage protection limit 20.5 22.5 24.5 V IIN(H) Latch circuit sustaining current — — 400 µA VIN(LaOFF) Latch circuit reset voltage 6.6 — 8.4 V TJ(TSD) Thermal shutdown activation temperature 140 — — oC
Electrical Characteristics (for MOSFET)
(TA = 25°C) unless otherwise specified.
Symbol Definition Min. Typ. Max. Units Test Conditions
VDSS Drain-to-source breakdown voltage 650 — — V IDSS Drain leakage current — — 25 µA Vds=650V, VGS=0V RDS(ON) On-resistance — — 0.97 Ω V3-1=10V, ID=8.8A tr Rise time (10% to 90%) — — 310 ns THj-C Thermal resistance — — 0.53 oC/W Between junction and case www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка