Datasheet NSS40200L, NSV40200L (ON Semiconductor) - 5
Производитель | ON Semiconductor |
Описание | 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
Страниц / Страница | 6 / 5 — NSS40200L, NSV40200L. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 7. Input … |
Версия | 8 |
Формат / Размер файла | PDF / 89 Кб |
Язык документа | английский |
NSS40200L, NSV40200L. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 7. Input Capacitance. Figure 8. Output Capacitance

32 предложений от 13 поставщиков Транзистор биполярный BJT 100 нА 40 В 540мВт 300 при 50 мА, 2 В 2 А 100 МГц 135 мВ при... |
| NSS40200LT1G ON Semiconductor | от 17 ₽ | |
| NSS40200LT1G ON Semiconductor | 28 ₽ | |
| NSS40200LT1G ON Semiconductor | от 132 ₽ | |
| NSS40200LT1G ON Semiconductor | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
NSS40200L, NSV40200L TYPICAL CHARACTERISTICS
325 100 300 Cibo (pF) 90 Cobo (pF) 275 80 ANCE (pF) ANCE (pF) 250 70 ACIT ACIT 225 60 200 50 175 40 150 , INPUT CAP , OUTPUT CAP iboC 125 obo 30 C 100 20 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 0 5.0 10 15 20 25 30 35 VEB, EMITTER BASE VOLTAGE (V) VCB, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
Figure 7. Input Capacitance Figure 8. Output Capacitance
10 100 ms 10 ms 1 s 1 ms 1.0 (A) I C 0.1 Thermal Limit 0.01 0.01 0.1 1.0 10 100 VCE (Vdc)
Figure 9. Safe Operating Area www.onsemi.com 5