Datasheet IRF9Z24N (International Rectifier) - 7

Производитель	International Rectifier
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	9 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 117 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2

...

8 9

1 2

...

8 9

Купить IRF9Z24NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.62 до 92 ₽ 61 предложений от 26 поставщиков IRF9Z24N PBF MOSFET, P, -55V, -12A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Voltage,...
ChipWorker Весь мир	IRF9Z24NPBF Infineon	12 ₽
Элрус Россия	IRF9Z24NPBF Infineon	от 30 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRF9Z24NPBF International Rectifier	по запросу
Augswan Весь мир	IRF9Z24NPBF Infineon	по запросу

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

IRF9Z24N

IRF9Z24NPBF

Текстовая версия документа

IRF9Z24N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
D.U.T
* • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" V - DD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period [ ] *** VGS=10V D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt [ ] VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent [ ] Ripple ≤ 5% ISD *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring