Datasheet IRF9Z24N (International Rectifier) - 7

Производитель	International Rectifier
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	9 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 117 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2

...

8 9

1 2

...

8 9

Купить IRF9Z24NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.75 до 92 ₽ 66 предложений от 28 поставщиков IRF9Z24N PBF MOSFET, P, -55V, -12A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Voltage,...
AllElco Electronics Весь мир	IRF9Z24NPBF Infineon	от 8.75 ₽
Элрус Россия	IRF9Z24NPBF Infineon	от 25 ₽
DIP8.RU Россия и страны ТС	IRF9Z24NPBF Infineon	от 27 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRF9Z24NPBF International Rectifier	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

IRF9Z24N

IRF9Z24NPBF

Текстовая версия документа

IRF9Z24N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
D.U.T
* • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" V - DD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period [ ] *** VGS=10V D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt [ ] VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent [ ] Ripple ≤ 5% ISD *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring