Datasheet IRFZ46N (International Rectifier) - 7

Производитель	International Rectifier
Описание	HEXFET Power MOSFET, VDSS = 55 V, RDS(on) = 16.5 mΩ, ID = 30 A, TO-220AB
Страниц / Страница	9 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 116 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2

...

8 9

1 2

...

8 9

Купить IRFZ46N на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 104 ₽ 25 предложений от 20 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 53Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12Емкость, пФ:...
Триема Россия	IRFZ46N	34 ₽
AllElco Electronics Весь мир	IRFZ46NS Infineon	по запросу
727GS Весь мир	IRFZ46NS Infineon	по запросу
Lixinc Electronics Весь мир	IRFZ46NS	по запросу

Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

IRFZ46N

Текстовая версия документа

IRFZ46N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" V - DD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ ] *** GS=10V D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent [ ] Ripple ≤ 5% ISD *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring