AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet PMEG120G30ELP (Nexperia) - 4

ПроизводительNexperia
Описание120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier
Страниц / Страница14 / 4 — Nexperia. PMEG120G30ELP. 120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier. …
Версия26052020
Формат / Размер файлаPDF / 252 Кб
Язык документаанглийский

Nexperia. PMEG120G30ELP. 120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier. 10. Characteristics Table 7. Characteristics. Symbol

Nexperia PMEG120G30ELP 120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier 10 Characteristics Table 7 Characteristics Symbol

24 предложений от 6 поставщиков
Стандартный восстанавливающийся диод, 120 В, 3 А, Одиночный, 840 мВ, 11 нс, 85 А
AllElco Electronics
Весь мир
PMEG120G30ELPX
Nexperia
от 4.28 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
PMEG120G30ELPX
от 13 ₽
Элитан
Россия
PMEG120G30ELPX
NXP
40 ₽
PMEG120G30ELPX
Nexperia
от 69 ₽
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 4
Nexperia PMEG120G30ELP 120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier 10. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V(BR)R reverse breakdown IR = 1 mA; pulsed; Tj = 25 °C [1] 120 - - V voltage VF forward voltage IF = 0.1 A; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 570 660 mV IF = 0.5 A; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 655 740 mV IF = 1 A; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 700 780 mV IF = 2 A; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 745 820 mV IF = 3 A; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 770 840 mV IF = 3 A; Tj = -40 °C; pulsed [1] - 860 950 mV IF = 3 A; Tj = 125 °C; pulsed [1] - 630 730 mV IR reverse current VR = 120 V; Tj = 25 °C; pulsed [1] - 0.5 30 nA VR = 120 V; Tj = 125 °C; pulsed [1] - 5 60 µA VR = 120 V; Tj = 150 °C; pulsed [1] - 30 300 µA Cd diode capacitance VR = 1 V; f = 1 MHz; Tj = 25 °C - 103 - pF VR = 10 V; f = 1 MHz; Tj = 25 °C - 41 - pF trr reverse recovery time IF = 0.5 A; IR = 1 A; IR(meas) = 0.25 A; - 6 - ns step recovery Tj = 25 °C reverse recovery time dIF/dt = 100 A/µs; IF = 1 A; VR = 30 V; - 11 - ns ramp recovery Tj = 25 °C IRM peak reverse recovery - 0.6 - A current Qrr reverse recovery - 4 - nC charge VFRM peak forward recovery IF = 0.5 A; dIF/dt = 20 A/µs; Tj = 25 °C - 650 - mV voltage [1] Very short pulse, in order to maintain a stable junction temperature. PMEG120G30ELP All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2020. Al rights reserved
Product data sheet 26 May 2020 4 / 14
Document Outline 1. General description 2. Features and benefits 3. Applications 4. Quick reference data 5. Pinning information 6. Ordering information 7. Marking 8. Limiting values 9. Thermal characteristics 10. Characteristics 11. Test information 12. Package outline 13. Soldering 14. Mounting 15. Revision history 16. Legal information Contents
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка