Datasheet XPN12006NC (Toshiba) - 5

Производитель	Toshiba
Описание	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
Страниц / Страница	10 / 5 — XPN12006NC. 8. Characteristics. Curves. (Note). Fig. 8.1. ID. -. VDS. …
Формат / Размер файла	PDF / 574 Кб
Язык документа	английский

XPN12006NC. 8. Characteristics. Curves. (Note). Fig. 8.1. ID. -. VDS. Fig. 8.2. ID. -. VDS. Fig. 8.3. VDS. -. VGS. Fig. 8.4. VDS. -. VGS. Fig. 8.5. VDS. -. VGS. Fig. 8.6. VDS. -. VGS

...

Купить XPN12006NC на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 90 ₽ 23 предложений от 5 поставщиков Транзисторы - FETs
Зенер Россия и страны ТС	XPN12006NC,L1XHQ	от 40 ₽
Элитан Россия	XPN12006NC Toshiba	67 ₽
Эиком Россия	XPN12006NC,L1XHQ Toshiba	от 85 ₽
Компонентс Ру Россия	XPN12006NC,L1XHQ Toshiba	от 90 ₽

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

XPN12006NC

Текстовая версия документа

XPN12006NC 8. Characteristics Curves (Note) Fig. 8.1 ID - VDS Fig. 8.2 ID - VDS Fig. 8.3 VDS - VGS Fig. 8.4 VDS - VGS Fig. 8.5 VDS - VGS Fig. 8.6 VDS - VGS ©2019-2020 5 2020-06-24 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Rev.4.0

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Литий-тионилхлоридные батарейки – большая энергия в миниатюрном корпусе

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring