Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet AMP04 (Analog Devices) - 4

ПроизводительAnalog Devices
ОписаниеPrecision Single Supply Instrumentation Amplifier
Страниц / Страница17 / 4 — AMP04. AMP04E. AMP04F. Parameter. Symbol. Conditions. Min. Typ. Max. …
ВерсияC
Формат / Размер файлаPDF / 496 Кб
Язык документаанглийский

AMP04. AMP04E. AMP04F. Parameter. Symbol. Conditions. Min. Typ. Max. Unit. WAFER TEST LIMITS (VS = 5 V, VCM = 2.5 V, TA = 25

AMP04 AMP04E AMP04F Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit WAFER TEST LIMITS (VS = 5 V, VCM = 2.5 V, TA = 25

28 предложений от 16 поставщиков
Микросхема Усилитель прибора, ANALOG DEVICES AMP04EPZ Instrument Amplifier, 1 Amplifier, 400μV, 700kHz, ± 2.5V to ± 15V, DIP
AllElco Electronics
Весь мир
AMP04EPZ
Analog Devices
от 583 ₽
Элитан
Россия
AMP04EPZ
Analog Devices
2 649 ₽
AMP04EPZ
Analog Devices
от 4 634 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
AMP04EPZ
Analog Devices
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

AMP04 AMP04E AMP04F Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Min Typ Max Unit
GAIN (G = 100 K/RGAIN) Gain Equation Accuracy G = 1 to 100 0.2 0.5 0.75 % G = 1000 0.4 0.75 % G = 1 to 100 –40°C ≤ TA ≤ +85°C 0.8 1.0 % Gain Range G 1 1000 1 1000 V/V Nonlinearity G = 1, RL = 5 kΩ 0.005 0.005 % G = 10, RL = 5 kΩ 0.015 0.015 % G = 100, RL = 5 kΩ 0.025 0.025 % Gain Temperature Coefficient ∆G/∆T 30 50 ppm/°C OUTPUT Output Voltage Swing High VOH RL = 2 kΩ 13 13.4 13 V RL = 2 kΩ –40°C ≤ TA ≤ +85°C 12.5 12.5 V Output Voltage Swing Low VOL RL = 2 kΩ –40°C ≤ TA ≤ +85°C –14.5 –14.5 V Output Current Limit Sink 30 30 mA Source 15 15 mA NOISE Noise Voltage Density, RTI eN f = 1 kHz, G = 1 270 270 nV/√Hz f = 1 kHz, G = 10 45 45 nV/√Hz f = 100 Hz, G = 100 30 30 nV/√Hz f = 100 Hz, G = 1000 25 25 nV/√Hz Noise Current Density, RTI iN f = 100 Hz, G = 100 4 4 pA/√Hz Input Noise Voltage eN p-p 0.1 Hz to 10 Hz, G = 1 5 5 µV p-p 0.1 Hz to 10 Hz, G = 10 1 1 µV p-p 0.1 Hz to 10 Hz, G = 100 0.5 0.5 µV p-p DYNAMIC RESPONSE Small Signal Bandwidth BW G = 1, –3 dB 700 700 kHz POWER SUPPLY Supply Current ISY 750 900 900 µA –40°C ≤ TA ≤ +85°C 1100 1100 µA Specifications subject to change without notice.
WAFER TEST LIMITS (VS = 5 V, VCM = 2.5 V, TA = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Conditions Limit Unit
OFFSET VOLTAGE Input Offset Voltage VIOS 300 µV max Output Offset Voltage VOOS 3 mV max INPUT CURRENT Input Bias Current IB 40 nA max Input Offset Current IOS 10 nA max INPUT Common-Mode Rejection CMR 0 V ≤ VCM ≤ 3.0 V G = 1 55 dB min G = 10 75 dB min G = 100 80 dB min G = 1000 80 dB min Common-Mode Rejection CMR VS = ± 15 V, –12 V ≤ VCM ≤ +12 V G = 1 55 dB min G = 10 75 dB min G = 100 80 dB min –4– REV. C
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка