Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SSM3H137TU (Toshiba) - 6

ПроизводительToshiba
ОписаниеMOSFETs Silicon N-Channel MOS
Страниц / Страница9 / 6 — SSM3H137TU. Fig. 7.7. |Yfs|. -. ID. Fig. 7.8. IDR. -. VDS. Fig. 7.9. C. …
Формат / Размер файлаPDF / 231 Кб
Язык документаанглийский

SSM3H137TU. Fig. 7.7. |Yfs|. -. ID. Fig. 7.8. IDR. -. VDS. Fig. 7.9. C. -. VDS. Fig. 7.10. Dynamic. Input. Characteristics. Fig. 7.11. rth. -. tw. (MOSFET). Fig. 7.12. Safe

SSM3H137TU Fig 7.7 |Yfs| - ID Fig 7.8 IDR - VDS Fig 7.9 C - VDS Fig 7.10 Dynamic Input Characteristics Fig 7.11 rth - tw (MOSFET) Fig 7.12 Safe

32 предложений от 10 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
SSM3H137TU,LF
Toshiba
от 23 ₽
Эиком
Россия
SSM3H137TU,LF
Toshiba
от 26 ₽
SSM3H137TU,LF
Toshiba
от 27 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SSM3H137TU,LF
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SSM3H137TU Fig. 7.7 |Yfs| - ID Fig. 7.8 IDR - VDS Fig. 7.9 C - VDS Fig. 7.10 Dynamic Input Characteristics Fig. 7.11 rth - tw (MOSFET) Fig. 7.12 Safe Operating Area ©2016 Toshiba Corporation 6 2016-03-25 Rev.1.0
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка