AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet ZXM61N02F (Diodes) - 5

ПроизводительDiodes
ОписаниеN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Страниц / Страница7 / 5 — ZXM61N02F. TYPICAL CHARACTERISTICS. Output Characteristics. Transfer …
Формат / Размер файлаPDF / 217 Кб
Язык документаанглийский

ZXM61N02F. TYPICAL CHARACTERISTICS. Output Characteristics. Transfer Characteristics. Normalised RDS(on) and VGS(th)

ZXM61N02F TYPICAL CHARACTERISTICS Output Characteristics Transfer Characteristics Normalised RDS(on) and VGS(th)

25 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3Pin SOT-23 T/R
ChipWorker
Весь мир
ZXM61N02FTC
Diodes
15 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZXM61N02FTC
Diodes
26 ₽
ZXM61N02FTC
Diodes
от 33 ₽
Maybo
Весь мир
ZXM61N02FTC
Diodes
43 ₽
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZXM61N02F TYPICAL CHARACTERISTICS
100 100 +25°C VGS +150°C VGS ) A 6V 6V 10 4V 4V t (A 10 nt ( 3V 3.5V n re e 3V 2.5V rr 2.5V Cur 2V 1 1 Cu 2V in in ra ra 1.5V - D 100m - D 100m ID 1.5V ID 10m 10m 0.1 1 10 0.1 1 10 VDS - Drain-Source Voltage (V) VDS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics Output Characteristics
) 10 1.6 VDS=10V (th RDS(on) S G A t ( 1.4 nd V VGS=4.5V 1 a 1.2 ID=0.93A rren u (on) C 1.0 T=150°C DS rain T=25°C R d VGS=VDS - D 0.1 e 0.8 ID=250µA ID alis 0.6 rm o VGS(th) 0.01 0.4 N 1.5 2.5 3.5 4.5 -100 0 100 200 VGS - Gate-Source Voltage (V) TJ- Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics Normalised RDS(on) and VGS(th) v Temperature
) Ω ( 10 ) e 100 c n t (A ta n 10 is s rre u Re C 1 n O 1 100m rain VGS=2.7V e c VGS=4.5V e D T=150°C rs 10m T=25°C e v in Sour e 1m ra - R - D 0.1 100µ 0.1 1 10 100 ISD 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 (on) ID - Drain Current (A) VSD - Source-Drain Voltage (V) S D
On-Resistance v Drain Current Source-Drain Diode Forward Voltage
R ISSUE 1 - JUNE 2004
5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка