Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet ZXM61N02F (Diodes) - 6

ПроизводительDiodes
ОписаниеN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Страниц / Страница7 / 6 — ZXM61N02F. TYPICAL CHARACTERISTICS. Capacitance v Drain-Source Voltage. …
Формат / Размер файлаPDF / 217 Кб
Язык документаанглийский

ZXM61N02F. TYPICAL CHARACTERISTICS. Capacitance v Drain-Source Voltage. Gate-Source Voltage v Gate Charge

ZXM61N02F TYPICAL CHARACTERISTICS Capacitance v Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage v Gate Charge

33 предложений от 18 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; 0,625Вт; SOT23
Maybo
Весь мир
ZXM61N02FTA
Diodes
88 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
ZXM61N02FTA
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
ZXM61N02FTA
Diodes
по запросу
TradeElectronics
Россия
ZXM61N02FTA/N02
Diodes
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZXM61N02F TYPICAL CHARACTERISTICS
400 5 ID=0.93A (V) VGS=0V ) e Ciss g VDS=16V f=1MHz 4 Coss (pF 300 Crss e olta V nc e 3 c ita c 200 pa Sour 2 te 100 a C - Ca 1 - G GS 0 V 0 0.1 1 10 100 0 1 2 3 VDS - Drain-Source Voltage (V) Q - Charge (nC)
Capacitance v Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage v Gate Charge Basic Gate Charge Waveform Gate Charge Test Circuit Switching Time Waveforms Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - JUNE 2004
6
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка