Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IQE013N04LM6 (Infineon) - 10

ПроизводительInfineon
ОписаниеOptiMOS Power-MOSFET, 40V
Страниц / Страница13 / 10 — OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6. 5PackageOutlines. MILLIMETERS. …
Версия02_00
Формат / Размер файлаPDF / 1.4 Мб
Язык документаанглийский

OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6. 5PackageOutlines. MILLIMETERS. DIMENSION. DOCUMENT NO. MIN. MAX. Z8B00198723. REVISION

OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6 5PackageOutlines MILLIMETERS DIMENSION DOCUMENT NO MIN MAX Z8B00198723 REVISION

32 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 205 А, 0.0011 Ом, TSON, Surface Mount
Эиком
Россия
IQE013N04LM6ATMA1
Infineon
от 163 ₽
Элитан
Россия
IQE013N04LM6ATMA1
Infineon
176 ₽
IQE013N04LM6ATMA1
Infineon
от 219 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IQE013N04LM6ATMA1
Infineon
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6 5PackageOutlines MILLIMETERS DIMENSION DOCUMENT NO. MIN. MAX. Z8B00198723 A
- 1.10
REVISION A1
- 0.05
01 b
0.20 0.40
c
0.20
D
3.30
SCALE 10:1 D1
2.31 2.51
E
3.30 0 1 2mm
e
0.65
L
0.35 0.55
EUROPEAN PROJECTION L1
0.10 0.30
L2
0.40 0.60
L3
1.35 1.55
L4
0.26 0.46
L5
0.84 1.04
L6
0.77 0.97
ISSUE DATE 06.11.2019 Figure1OutlinePG-TSON-8-4,dimensionsinmm
Final Data Sheet 10 Rev.2.0,2020-07-15 Document Outline Description Table of Contents Maximum ratings Thermal characteristics Electrical characteristics Static characteristics Dynamic characteristics Gate charge characteristics Reverse diode Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Package Outlines Revision History Trademarks Disclaimer
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка