Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet NDS8947 (Fairchild) - 4

ПроизводительFairchild
ОписаниеDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Страниц / Страница7 / 4 — Typical Electrical Characteristics. Figure 1. On-Region Characteristics. …
Формат / Размер файлаPDF / 204 Кб
Язык документаанглийский

Typical Electrical Characteristics. Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Gate

Typical Electrical Characteristics Figure 1 On-Region Characteristics Figure 2 On-Resistance Variation with Gate

17 предложений от 17 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
Lixinc Electronics
Весь мир
NDS8947
Rochester Electronics
80 ₽
NDS8947_Q
Fairchild
по запросу
727GS
Весь мир
NDS8947
по запросу
SUV System
Весь мир
NDS8947
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Typical Electrical Characteristics
-20 3 V = -10V GS -6.0 V = -3.5V GS -5.0 2.5 -15 - 4.0 -4.5 -4.5 -4.0 2 -5.0 -10 -3.5 1.5 -6.0 DS(on) -5 R , NORMALIZED -10 -3.0 1 I , DRAIN-SOURCE CURRENT (A) D DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE 0 0.5 0 -1 -2 -3 -4 0 -4 -8 -12 -16 -20 V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) DS I , DRAIN CURRENT (A) D
Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage and Drain Current.
1.6 2 I = -4.0A V = -10V D GS 1.4 V = -10V GS 1.5 T = 125°C J 1.2 1 25°C 1 DS(on) DS(ON) R , NORMALIZED R , NORMALIZED 0.8 -55°C DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE 0.6 0.5 -50 -25 0 2 5 5 0 7 5 1 0 0 1 2 5 1 5 0 0 -4 -8 -12 -16 -20 T , JUNCTION TEMPERATURE (°C) I , DRAIN CURRENT (A) J D
Figure 3. On-Resistance Variation with Figure 4. On-Resistance Variation with Drain Temperature. Current and Temperature.
-20 1.2 V = -10V T = -55°C J V = V DS DS GS 125°C 1.1 I = -250µA D -15 25°C 1 -10 0.9 th 0.8 V , NORMALIZED D -5 I , DRAIN CURRENT (A) 0.7 GATE-SOURCE THRESHOLD VOLTAGE 0.6 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -1 -2 -3 -4 -5 -6 T , JUNCTION TEMPERATURE (°C) V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) GS J
Figure 5. Transfer Characteristics. Figure 6. Gate Threshold Variation with Temperature.
NDS8947.SAM
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка