Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet BC107/A/B/C, BC108/A/B/C, BC109/A/B/C (CDIL)

ПроизводительCDIL
ОписаниеNPN Silicon Planar Transistors
Страниц / Страница4 / 1 — NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS. BC107/A/B/C BC108/A/B/C BC109/A/B/C. …
Формат / Размер файлаPDF / 146 Кб
Язык документаанглийский

NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS. BC107/A/B/C BC108/A/B/C BC109/A/B/C. TO-18 Metal Can Package

Datasheet BC107/A/B/C, BC108/A/B/C, BC109/A/B/C CDIL

35 предложений от 18 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, Bipolar (BJT) Single Transistor, Low Noise, NPN, 25V, 150MHz, 600mW, 200mA, 800 hFE
Зенер
Россия и страны ТС
BC109C
от 52 ₽
AiPCBA
Весь мир
BC109C
Multicomp
74 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
BC109C
Silicon Labs
по запросу
Augswan
Весь мир
BC109C
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/C BC108/A/B/C BC109/A/B/C TO-18 Metal Can Package Low Noise General Purpose Audio Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNIT Collector Emitter Voltage
VCEO 45 25 25 V
Collector Base Voltage
VCBO 50 30 30 V
Emitter Base Voltage
VEBO 6.0 5.0 5.0 V
Collector Current Continuous
IC 200 mA
Power Dissipation at Ta=25ºC
PD 300 mW
Derate above 25ºC
1.72 mW/ ºC
Power Dissipation at Tc=25ºC
PD 750 mW
Derate above 25ºC
4.29 mW/ ºC
Operating And Storage Junction
T - 65 to +200 ºC
Temperature Range
j, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS Junction to Ambient in free air
Rth (j-a) 583 ºC/W
Junction to Case
Rth (j-c) 233 ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise ) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION BC107 BC108 BC109 UNIT Collector Emitter Voltage
VCEO IC=2mA, IB=0 >45 >25 >25 V
Emitter Base Voltage
VEBO IE=10µA, IC=0 >6 >5 >5 V
Collector Cut Off Current
I V <15 nA CBO CB=45V, IE=0 VCB=25V, IE=0 <15 <15 nA VCB=45V, IE=0, Ta=125ºC <4 µA VCB=25V, IE=0, Ta=125ºC <4 <4 µA
DC Current Gain
hFE IC=10µA, VCE=5V
B Group
>40
C Group
>100 IC=2mA, VCE=5V
BC107
110-450
BC108
110-800
BC109
200-800
A Group
110-220
B Group
200-450
C Group
420-800 BC107_109Rev_3 231202E Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка