DC-DC преобразователи KEEN SIDE

Datasheet H11AV1M, H11AV1AM, H11AV2M, H11AV2AM (Fairchild) - 4

ПроизводительFairchild
ОписаниеPhototransistor Optocouplers
Страниц / Страница10 / 4 — H11A. Safety and Insulation Ratings. V1M,. Symbol. Parameter. Min. Typ. …
Формат / Размер файлаPDF / 251 Кб
Язык документаанглийский

H11A. Safety and Insulation Ratings. V1M,. Symbol. Parameter. Min. Typ. Max. Unit. V1AM,. V2M,. V2AM — Phototransistor Optocoupler

H11A Safety and Insulation Ratings V1M, Symbol Parameter Min Typ Max Unit V1AM, V2M, V2AM — Phototransistor Optocoupler

28 предложений от 19 поставщиков
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP. Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP. Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
AiPCBA
Весь мир
H11AV1AM
ON Semiconductor
33 ₽
Эиком
Россия
H11AV1AM
ON Semiconductor
от 58 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
H11AV1AM
Freescale
по запросу
Xinhuo Future
Весь мир
H11AV1AM
по запросу
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

H11A Safety and Insulation Ratings V1M,
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data. Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
H11A Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
Installation Classifications per DIN VDE 0110/1.89
V1AM,
Table 1 For Rated Main Voltage < 150Vrms I-IV
H11A
For Rated Main voltage < 300Vrms I-IV Climatic Classification 55/100/21 Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89) 2
V2M,
CTI Comparative Tracking Index 175
H11A
VPR Input to Output Test Voltage, Method b, 1594 Vpeak VIORM x 1.875 = VPR, 100% Production Test with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC
V2AM — Phototransistor Optocoupler
Input to Output Test Voltage, Method a, 1275 Vpeak VIORM x 1.5 = VPR, Type and Sample Test with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC VIORM Max. Working Insulation Voltage 850 Vpeak VIOTM Highest Allowable Over Voltage 6000 Vpeak External Creepage 7 mm External Clearance 7 mm Insulation Thickness 0.5 mm RIO Insulation Resistance at Ts, V 9 Ω IO = 500V 10
s
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com H11AV1M, H11AV1AM, H11AV2M, H11AV2AM Rev. 1.0.2 4
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка