Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsDatasheet IRG4PH40UD2-EP (Infineon)

Datasheet IRG4PH40UD2-EP (Infineon) - 7

ПроизводительInfineon
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Версия01_00
Формат / Размер файлаPDF / 242 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

Fig 14 Fig 15 Fig 16 Fig 17

14 предложений от 14 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 41A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
ЧипСити
Россия
IRG4PH40UD2-EP
International Rectifier		81 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRG4PH40UD2-EP
International Rectifier		81 ₽
IRG4PH40UD2-EP, TO-247AC
Infineon		623 ₽
727GS
Весь мир
IRG4PH40UD2-EP
Rochester Electronics		по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Модельный ряд для этого даташита

IRG4PH40UD2-E

Текстовая версия документа

IRG4PH40UD2-EP
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7
Хотите получать уведомления о выходе новых материалов на сайте?
Подпишитесь на рассылку!
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring