Datasheet IRG4PH40UDPbF (International Rectifier) - 3

Производитель	International Rectifier
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница	11 / 3 — Fig. 1. Fig. 2. Fig. 3
Формат / Размер файла	PDF / 689 Кб
Язык документа	английский

Fig. 1. Fig. 2. Fig. 3

1 2

4 5

...

1 2

4 5

...

Купить IRG4PH40UDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 1 531 ₽ 36 предложений от 22 поставщиков Транзистор IGBT, INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH40UDPBF IGBT Single Transistor, 41A, 2.43V, 160W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins
ЧипСити Россия	IRG4PH40UDPBF Infineon	378 ₽
Romstore Россия, Беларусь	IRG4PH40UDPBF	от 636 ₽
Промэлектроника Россия и страны СНГ	IRG4PH40UDPBF Infineon	1 128 ₽
Augswan Весь мир	IRG4PH40UDPBF Infineon	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

IRG4PH40UDPBF

Текстовая версия документа

IRG4PH40UDPbF 25 For both: Duty cycle: 50% 20 T J = 125°C T = 90°C sink G ate drive as specified P ow er Dis sipation = 35 W 15 S qua re w av e: 60% of rated voltage 10 I LOAD CURRENT (A) 5 Id e a l d io d e s 00.1 1 10 100 f, Frequency (KHz)
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency (Load Current = IRMS of fundamental) 100 100 T = 150 C o J T = 150 C o J 10 10 T = 25 C o J T = 25 C o J I , Collector-to-Emitter Current (A) C GE I , Collector-to-Emitter Current (A) C V = 15V 20µs PULSE WIDTH 1 V = 50V CC 5µs PULSE WIDTH 1 10 1 5 6 7 8 9 10 V , Collector-to-Emitter Voltage (V) CE V , Gate-to-Emitter Voltage (V) GE
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics www.irf.com 3

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring