OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet IRG4PH40UDPbF (International Rectifier) - 4

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 4 — Fig. 4. Fig. 5. Fig. 6
Формат / Размер файлаPDF / 689 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 4. Fig. 5. Fig. 6

Fig 4 Fig 5 Fig 6

36 предложений от 22 поставщиков
Транзистор IGBT, INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH40UDPBF IGBT Single Transistor, 41A, 2.43V, 160W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins
Lixinc Electronics
Весь мир
IRG4PH40UDPBF
Infineon
от 160 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRG4PH40UDPBF
Infineon
222 ₽
Контест
Россия
IRG4PH40UDPBF
Infineon
1 531 ₽
IRG4PH40UDPBF
International Rectifier
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRG4PH40UDPbF 50 4.0 V = 15V GE 80 us PULSE WIDTH I = A 42 C 40 3.0 30 I = A 21 C 20 I = A 10.5 C 2.0 10 CE Maximum DC Collector Current(A) V , Collector-to-Emitter Voltage(V) 0 1.0 25 50 75 100 125 150 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 T , Case Temperature ( C) C ° T , Junction Temperature ( C) J °
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage Temperature vs. Junction Temperature 1 D = 0.50 thJC 0.20 0.1 0.10 0.05 0.02 Thermal Response (Z ) 0.01 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) PDM t1 t 2 Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak TJ= PDM x Z thJC + TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 4 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка