Datasheet IRG4PH40UDPbF (International Rectifier) - 7

Производитель	International Rectifier
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница	11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Формат / Размер файла	PDF / 689 Кб
Язык документа	английский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRG4PH40UDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 1 531 ₽ 36 предложений от 22 поставщиков Транзистор IGBT, INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH40UDPBF IGBT Single Transistor, 41A, 2.43V, 160W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins
ChipWorker Весь мир	IRG4PH40UDPBF International Rectifier	81 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRG4PH40UDPBF Infineon	от 160 ₽
Софт-Логистик Россия	IRG4PH40UDPBF, IGBT 1200В 21А 5-40кГц TO247AC Infineon	359 ₽
Augswan Весь мир	IRG4PH40UDPBF Infineon	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

IRG4PH40UDPBF

Текстовая версия документа

IRG4PH40UDPbF 200 100 V = 2 00V R V = 2 00V R T J = 12 5°C T = 12 5°C J T J = 25 °C T = 25 °C J 160 I = F 1 6 A ) I = 16A 120 F s) I F = 8.0A (n - (A I = 8.0A F - M 10 I = R F 4 .0A t rr I IR I F = 4.0A 80 40 0 1 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A/µs)
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt 600 1000 V = 2 00V R T = 12 5°C J T J = 25 °C 500 I = 4.0A F 400 s) /µ C I F = 16 A I = 8.0A F n (A ( I = 16A - t - F 300 100 I = /d F 8 .0A RR Q c)M e i(r 200 I = d F 4 .0A 100 V = 2 00V R T = 12 5°C J T = 25 °C J 0 10 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A/µs)
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring