Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IRG4PH40UDPbF (International Rectifier) - 7

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Формат / Размер файлаPDF / 689 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

Fig 14 Fig 15 Fig 16 Fig 17

34 предложений от 20 поставщиков
Транзистор IGBT, INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH40UDPBF IGBT Single Transistor, 41A, 2.43V, 160W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins
AiPCBA
Весь мир
IRG4PH40UDPBF
International Rectifier
398 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
IRG4PH40UDPBF
от 636 ₽
Элрус
Россия
IRG4PH40UDPBF
Infineon
от 1 129 ₽
IRG4PH40UDPBF
International Rectifier
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRG4PH40UDPbF 200 100 V = 2 00V R V = 2 00V R T J = 12 5°C T = 12 5°C J T J = 25 °C T = 25 °C J 160 I = F 1 6 A ) I = 16A 120 F s) I F = 8.0A (n - (A I = 8.0A F - M 10 I = R F 4 .0A t rr I IR I F = 4.0A 80 40 0 1 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A/µs)
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt 600 1000 V = 2 00V R T = 12 5°C J T J = 25 °C 500 I = 4.0A F 400 s) /µ C I F = 16 A I = 8.0A F n (A ( I = 16A - t - F 300 100 I = /d F 8 .0A RR Q c)M e i(r 200 I = d F 4 .0A 100 V = 2 00V R T = 12 5°C J T = 25 °C J 0 10 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A/µs)
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка