Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRG4PH50UDPbF (Infineon) - 4

ПроизводительInfineon
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 4 — Fig. 4. Fig. 5. Fig. 6
Версия01_00
Формат / Размер файлаPDF / 693 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 4. Fig. 5. Fig. 6

Fig 4 Fig 5 Fig 6

19 предложений от 14 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
Контест
Россия
IRG4PH50UD
792 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRG4PH50UD
по запросу
Augswan
Весь мир
IRG4PH50UD
Infineon
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRG4PH50UD
International Rectifier
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRG4PH50UDPbF 50 4.0 V = 15V GE I = A 48 C 80 us PULSE WIDTH 40 3.5 30 I = A 24 C 3.0 20 I = A 12 C 2.5 10 CE Maximum DC Collector Current(A) V , Collector-to-Emitter Voltage(V) 0 2.0 25 50 75 100 125 150 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 T , Case Temperature ( C) C ° T , Junction Temperature ( C) J °
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage Temperature vs. Junction Temperature 1 0.50 thJC 0.20 0.1 0.10 0.05 0.02 0.01 DM SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) 0.01 Thermal Response (Z ) P t1 t 2 Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak TJ = PDM x Z thJC + TC 0.001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 4 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка