Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRG4PH50UDPbF (Infineon) - 6

ПроизводительInfineon
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 6 — Fig. 11 -. Fig. 12. Fig. 13
Версия01_00
Формат / Размер файлаPDF / 693 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 11 -. Fig. 12. Fig. 13

Fig 11 - Fig 12 Fig 13

18 предложений от 13 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
ЧипСити
Россия
IRG4PH50UD
Infineon
446 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRG4PH50UD
Infineon
693 ₽
Десси
Россия
Транзистор IGBT IRG4PH50UD ориг.
1 813 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IRG4PH50UD
International Rectifier
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRG4PH50UDPbF 15 R = Ohm G 5.0 Ω 1000 T = 150 C GE J ° V = 20V T = 125 C o V = 480V CC J 12 V = 15V GE 100 9 6 10 3 Total Switching Losses (mJ) I , Collector-to-Emitter Current (A) C 0 SAFE OPERATING AREA 0 10 20 30 40 50 1 I , Collector-to-emitter Current (A) C 1 10 100 1000 10000 V , Collector-to-Emitter Voltage (V) CE
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Fig. 12
- Turn-Off SOA Collector-to-Emitter Current 1000 100 T = 150°C J 10 T = 125°C J T = 25°C J Instantaneous Forward Current ( A ) 1 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 Forward Voltage D rop - V FM (V)
Fig. 13
- Typical Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current 6 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка