AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRG4PH50UDPbF (Infineon) - 7

ПроизводительInfineon
ОписаниеInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Версия01_00
Формат / Размер файлаPDF / 693 Кб
Язык документаанглийский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

Fig 14 Fig 15 Fig 16 Fig 17

19 предложений от 16 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
AiPCBA
Весь мир
IRG4PH50UD
Infineon
682 ₽
TradeElectronics
Россия
IRG4PH50UD
International Rectifier
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IRG4PH50UD
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRG4PH50UD
International Rectifier
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRG4PH50UDPbF 300 40 V = 200V R V = 200 V R T = J 125°C T = 125°C J T = J 25°C T J = 25°C 30 200 I = 32A F ) s) A I = 16A F ( I F = 3 2 A 20 I = 8.0A trr - (n F RRMI - I = F 16 A 100 I F = 8 .0A 10 0 0 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A /µs)
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt 1200 1000 V = 200V R T = V = 200V J 125°C R T = T = J 125°C J 25°C T = J 25°C 900 I = 32A F s) /µ nC ( 600 I = 16A F 100 /dt - (A - RR I = 32A F Q c)M I = 8.0A I F =16A F di(re I = 8.0A F 300 0 10 100 1000 100 1000 di f /dt - (A/µ s) di f /dt - (A /µs)
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка