Datasheet IRG4PH50UDPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница	11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Версия	01_00
Формат / Размер файла	PDF / 693 Кб
Язык документа	английский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRG4PH50UDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 3 169 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 45A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Lixinc Electronics Весь мир	IRG4PH50UDPBF Rochester Electronics	377 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRG4PH50UDPBF Infineon	958 ₽
Augswan Весь мир	IRG4PH50UDPBF Infineon	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IRG4PH50UDPBF Infineon	по запросу

Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Модельный ряд для этого даташита

IRG4PH50UD

IRG4PH50UD IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

Текстовая версия документа

IRG4PH50UDPbF 300 40 V = 200V R V = 200 V R T = J 125°C T = 125°C J T = J 25°C T J = 25°C 30 200 I = 32A F ) s) A I = 16A F ( I F = 3 2 A 20 I = 8.0A trr - (n F RRMI - I = F 16 A 100 I F = 8 .0A 10 0 0 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A /µs)
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt 1200 1000 V = 200V R T = V = 200V J 125°C R T = T = J 125°C J 25°C T = J 25°C 900 I = 32A F s) /µ nC ( 600 I = 16A F 100 /dt - (A - RR I = 32A F Q c)M I = 8.0A I F =16A F di(re I = 8.0A F 300 0 10 100 1000 100 1000 di f /dt - (A/µ s) di f /dt - (A /µs)
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Индикаторы и дисплеи азиатского производства для проектов любой сложности

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring