Datasheet IRG4PH50UDPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Страниц / Страница	11 / 7 — Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17
Версия	01_00
Формат / Размер файла	PDF / 693 Кб
Язык документа	английский

Fig. 14. Fig. 15. Fig. 16. Fig. 17

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRG4PH50UDPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 3 147 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 45A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
ChipWorker Весь мир	IRG4PH50UDPBF International Rectifier	80 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRG4PH50UDPBF Rochester Electronics	от 338 ₽
Софт-Логистик Россия	IRG4PH50UDPBF, IGBT 1200В 24А 5-40кГц ТО247АС Infineon	491 ₽
Augswan Весь мир	IRG4PH50UDPBF Infineon	по запросу

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

IRG4PH50UD

IRG4PH50UD IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

Текстовая версия документа

IRG4PH50UDPbF 300 40 V = 200V R V = 200 V R T = J 125°C T = 125°C J T = J 25°C T J = 25°C 30 200 I = 32A F ) s) A I = 16A F ( I F = 3 2 A 20 I = 8.0A trr - (n F RRMI - I = F 16 A 100 I F = 8 .0A 10 0 0 100 1000 100 1000 d if /dt - (A/µs) di f /dt - (A /µs)
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. dif/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. dif/dt 1200 1000 V = 200V R T = V = 200V J 125°C R T = T = J 125°C J 25°C T = J 25°C 900 I = 32A F s) /µ nC ( 600 I = 16A F 100 /dt - (A - RR I = 32A F Q c)M I = 8.0A I F =16A F di(re I = 8.0A F 300 0 10 100 1000 100 1000 di f /dt - (A/µ s) di f /dt - (A /µs)
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 17
- Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring