Datasheet IRF6665PbF, IRF6665TRPbF (Infineon) - 6

Производитель	Infineon
Описание	Digital Audio MOSFET
Страниц / Страница	10 / 6 — Fig 17a. Fig 17b. D.U.T. Fig 18
Формат / Размер файла	PDF / 239 Кб
Язык документа	английский

Fig 17a. Fig 17b. D.U.T. Fig 18

...

Купить IRF6665TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 766 ₽ 22 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 19 А, 0.053 Ом, DirectFET SH, Surface Mount
ЧипСити Россия	IRF6665TRPBF Infineon	32 ₽
Maybo Весь мир	IRF6665TRPBF Infineon	175 ₽
Augswan Весь мир	IRF6665TRPBF Infineon	по запросу
727GS Весь мир	IRF6665TRPBF Infineon	по запросу

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

IRF6665

IRF6665PBF IRF6665PBF IRF6665TR1 IRF6665TR1PBF IRF6665TRPBF IRF6665TRPBF

Текстовая версия документа

IRF6665PbF Current Regulator Id Same Type as D.U.T. Vds 50KΩ Vgs .2µF 12V .3µF +V D.U.T. DS - VGS Vgs(th) 3mA I I G D Current Sampling Resistors Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr
Fig 17a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 17b.
Gate Charge Waveform
D.U.T
+ Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance - Current Transformer + - + - R VDD G • di/dt controlled by RG • Driver same type as D.U.T. + • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test - Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V * GS=10V D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Inductor Current Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18.
Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel HEXFET® Power MOSFETs 6 www.irf.com

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring