Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IRF7425PbF (Infineon) - 3

ПроизводительInfineon
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница9 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 197 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

14 предложений от 14 поставщиков
Транзисторы импортные
ChipWorker
Весь мир
IRF7425PBF
Infineon
41 ₽
IRF7425PBF
Wiha
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
IRF7425PBF
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRF7425PBF
Infineon
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF7425PbF 1000 1000 VGS VGS TOP -7.0V TOP -7.0V -5.0V -5.0V -4.5V -4.5V -2.5V -2.5V 100 -1.8V -1.8V -1.5V -1.5V -1.2V 100 -1.2V BOTTOM -1.0V BOTTOM -1.0V 10 10 1 -1.0V 1 D 0.1 -1.0V D -I , Drain-to-Source Current (A) -I , Drain-to-Source Current (A) 20μs PULSE WIDTH 20μs PULSE WIDTH T = J 25 °C T = 150 J °C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -V , Drain-to-Source Voltage (V) DS -V , Drain-to-Source Voltage (V) DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 100 2.0 ID = -15A T = 150 C J ° esistance 1.5 10 n R 1.0 ource O T = 25 C J ° (Normalized) 1 rain-to-S 0.5 D-I , Drain-to-Source Current (A) (on) V = - DS 15V S 20μs PULSE WIDTH , D D V = GS -4.5V 0.1 R 0.0 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 -V , Gate-to-Source Voltage (V) GS T , Junction Temperature ( C ° ) J
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature 3 www.irf.com © 2013 International Rectifier Submit Datasheet Feedback October 29, 2013
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка