Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF7822 (International Rectifier) - 4

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET for DC-DC Converters
Страниц / Страница6 / 4 — Fig 5. Fig 6
Формат / Размер файлаPDF / 73 Кб
Язык документаанглийский

Fig 5. Fig 6

Fig 5 Fig 6

47 предложений от 29 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Элитан
Россия
IRF7822
Infineon
50 ₽
ИМЭК
Россия и страны ТС
IRF7822PBF N-CH 30V 18A SO-8
62 ₽
IRF7822TR
International Rectifier
от 151 ₽
МосЧип
Россия
IRF7822TRPBF
International Rectifier
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF7822 100.00 100 ) TJ = 175°C (Α T = 150 C ° J 10 10.00 T = 25 C ° J TJ = 25°C 1 , Drain-to-Source Current I D I , Reverse Drain Current (A) SD VDS = 15V 20µs PULSE WIDTH 1.00 V = 0 V GS 0.1 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 0.2 0.5 0.7 1.0 1.2 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 5.
Typical Transfer Characteristics
Fig 6.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 100 D = 0.50 10 thJA 0.20 (Z ) 0.10 0.05 1 0.02 0.01 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) Thermal Response P DM t 1 0.1 t 2 Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak T = P x Z + T J DM thJA A 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Figure 7. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient 4 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка