Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IRF7822PBF (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET for DC-DC Converters
Страниц / Страница6 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 147 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

14 предложений от 11 поставщиков
HEXFET? Power MOSFET for DC-DC Converters | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IRF7822PBF
Infineon
по запросу
Maybo
Весь мир
IRF7822PBF
Infineon
по запросу
SUV System
Весь мир
IRF7822PBF
по запросу
727GS
Весь мир
IRF7822PBF
Infineon
по запросу
Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF7822PbF 2.0 6 ID = 15A ID = 15A V = 24V DS esistance 5 1.5 n R age (V) 4 ource O alized) 1.0 e Volt -S orm (N 2 o-Sourc rain-to e-t 0.5 Gat 1 GS (on) V , S , DDR V = GS 4.5V 0.0 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 10 20 30 40 50 T , Junction Temperature ( C ° ) J Q , Total Gate Charge (nC) G
Fig 1.
Normalized On-Resistance
Fig 2.
Typical Gate Charge Vs. Vs. Temperature Gate-to-Source Voltage 100000 VGS = 0V, f = 1 MHZ C ) iss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED 0.010 Ω( C rss = Cgd ec Coss = Cds + Cgd n 0.009 a ) t F si p10000 s ( e e 0.008 c R n Ciss n ati O c e 0.007 a c ID = 15A p r a uo C Coss , 1000 S- 0.006 C ot-ni Crss a 0.005 r D , )n 0.004 o 100 ( S 1 10 100 DR 0.003 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 3.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 4.
Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка