AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRF7389PbF (Infineon) - 7

ПроизводительInfineon
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница10 / 7 — Fig 16. Fig 17. Fig 18. Fig 19
Формат / Размер файлаPDF / 265 Кб
Язык документаанглийский

Fig 16. Fig 17. Fig 18. Fig 19

Fig 16 Fig 17 Fig 18 Fig 19

20 предложений от 16 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8Pin SOIC Tube
ЗУМ-СМД
Россия
IRF7389Pbf
International Rectifier
28 ₽
ЧипСити
Россия
IRF7389PBF
International Rectifier
83 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF7389PBF
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IRF7389PBF
Infineon
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

P-Channel IRF7389PbF ) 2.0 0.6 ID = 4.9A ( Ω 0.5 esistance 1.5 n R Resistance 0.4 On ource O 1.0 0.3 (Normalized) V = -4.5V GS rain-to-S 0.2 rain-to-Source 0.5 , D 0.1 (on) S V = -10V GS , D D DS(on) R V = GS 10V R 0.0-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0.0 A 0 10 20 30 T , Junction Temperature ( C ° ) J -ID , Drain Current (A)
Fig 16.
Normalized On-Resistance
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Drain Vs. Temperature Current ) 0.16 300 Ω ID ( TOP -1.3A 250 -2.2A BOTTOM -2.8A 0.12 Resistance 200 On 0.08 150 I = -4.9A D 100 rain-to-Source 0.04 , D ) 50 DS(onR E , Single Pulse Avalanche Energy (mJ) AS 0.00 A 0 0 3 6 9 12 15 25 50 75 100 125 150 Starting T , Junction Temperature ( C) ° -V J GS , Gate -to-Source Voltage (V)
Fig 18.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Fig 19.
Maximum Avalanche Energy Voltage Vs. Drain Current www.irf.com 7
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка