Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet STD30PF03LT4, STD30PF03L-1 (STMicroelectronics) - 5

ПроизводительSTMicroelectronics
ОписаниеP-channel 30 V -0.025 Ω -24 A -DPAK / IPAK STripFET II Power MOSFET
Страниц / Страница13 / 5 — STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1. Electrical characteristics. 2.1 Electrical. …
Формат / Размер файлаPDF / 337 Кб
Язык документаанглийский

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1. Electrical characteristics. 2.1 Electrical. characteristics (curves). Figure 2. Safe operating area

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1 Electrical characteristics 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2 Safe operating area

24 предложений от 16 поставщиков
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK. P-Channel 30V 24A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DIP8.RU
Россия и страны ТС
STD30PF03LT4-VB
от 35 ₽
ЧипСити
Россия
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
35 ₽
Рутоника
Россия и страны СНГ
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1 Electrical characteristics 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2. Safe operating area Figure 3. Thermal impedance Figure 4. Output characteristics Figure 5. Transfer characteristics Figure 6. Transconductance Figure 7. Static drain-source on resistance
5/13 Document Outline Figure 1. Internal schematic diagram Table 1. Device summary 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Table 3. Thermal data 2 Electrical characteristics Table 4. On/off states Table 5. Dynamic Table 6. Switching times Table 7. Source drain diode 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2. Safe operating area Figure 3. Thermal impedance Figure 4. Output characteristics Figure 5. Transfer characteristics Figure 6. Transconductance Figure 7. Static drain-source on resistance Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 11. Normalized on resistance vs temperature Figure 12. Source-drain diode forward characteristics Figure 13. Normalized breakdown voltage vs temperature 3 Test circuit Figure 14. Switching times test circuit for resistive load Figure 15. Gate charge test circuit Figure 16. Test circuit for diode recovery behavior 4 Package mechanical data 5 Packaging mechanical data 6 Revision history Table 8. Document revision history
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка