Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet STD30PF03LT4, STD30PF03L-1 (STMicroelectronics) - 7

ПроизводительSTMicroelectronics
ОписаниеP-channel 30 V -0.025 Ω -24 A -DPAK / IPAK STripFET II Power MOSFET
Страниц / Страница13 / 7 — STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1. Test circuit. Figure 14. Switching times …
Формат / Размер файлаPDF / 337 Кб
Язык документаанглийский

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1. Test circuit. Figure 14. Switching times test circuit for. Figure 15. Gate charge test circuit

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1 Test circuit Figure 14 Switching times test circuit for Figure 15 Gate charge test circuit

21 предложений от 13 поставщиков
P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET?„? II POWER MOSFET
STD30PF03LT4-VB
от 37 ₽
ChipWorker
Весь мир
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
49 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
STD30PF03LT4
STMicroelectronics
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

STD30PF03LT4 - STD30PF03L-1 Test circuit 3 Test circuit Figure 14. Switching times test circuit for Figure 15. Gate charge test circuit resistive load Figure 16. Test circuit for diode recovery behavior
7/13 Document Outline Figure 1. Internal schematic diagram Table 1. Device summary 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Table 3. Thermal data 2 Electrical characteristics Table 4. On/off states Table 5. Dynamic Table 6. Switching times Table 7. Source drain diode 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2. Safe operating area Figure 3. Thermal impedance Figure 4. Output characteristics Figure 5. Transfer characteristics Figure 6. Transconductance Figure 7. Static drain-source on resistance Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 11. Normalized on resistance vs temperature Figure 12. Source-drain diode forward characteristics Figure 13. Normalized breakdown voltage vs temperature 3 Test circuit Figure 14. Switching times test circuit for resistive load Figure 15. Gate charge test circuit Figure 16. Test circuit for diode recovery behavior 4 Package mechanical data 5 Packaging mechanical data 6 Revision history Table 8. Document revision history
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка