Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet BUK7V4R2-40H (Nexperia) - 9

ПроизводительNexperia
ОписаниеDual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)
Страниц / Страница13 / 9 — Nexperia. BUK7V4R2-40H. Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level …
Версия11022021
Формат / Размер файлаPDF / 313 Кб
Язык документаанглийский

Nexperia. BUK7V4R2-40H. Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)

Nexperia BUK7V4R2-40H Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)

24 предложений от 6 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 69,5А; Idm: 393А; 85Вт
Зенер
Россия и страны ТС
BUK7V4R2-40HX
от 111 ₽
ЭИК
Россия
BUK7V4R2-40HX
Nexperia
от 246 ₽
BUK7V4R2-40HX
Nexperia
от 266 ₽
BUK7V4R2-40HX
Nexperia
от 286 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Nexperia BUK7V4R2-40H Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)
aaa-032391 160 IS (A ( ) A 128 96 64 17 1 5 7 °C ° 32 Tj = 2 5 2 ° 5 C ° -5 - 5° 5 C ° 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VSD (V) VGS = 0 V
Fig. 16. Source-drain (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values, FET1 and FET2
BUK7V4R2-40H All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2021. Al rights reserved
Product data sheet 11 February 2021 9 / 13
Document Outline 1. General description 2. Features and benefits 3. Applications 4. Quick reference data 5. Pinning information 6. Ordering information 7. Marking 8. Limiting values 9. Thermal characteristics 10. Characteristics 11. Package outline 12. Soldering 13. Legal information Contents
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка