Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet STD30NF06 (STMicroelectronics) - 2

ПроизводительSTMicroelectronics
ОписаниеN-Channel 60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Страниц / Страница10 / 2 — STD30NF06. THERMAL DATA. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbol. Parameter. …
Формат / Размер файлаPDF / 472 Кб
Язык документаанглийский

STD30NF06. THERMAL DATA. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbol. Parameter. Test Conditions. Min. Typ. Max. Unit

STD30NF06 THERMAL DATA ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit

29 предложений от 19 поставщиков
Труба MOS, N-CHANNEL 60V - 0.02Ω - 28A IPAK/DPAK STRIPFET II POWER MOSFET
T-electron
Россия и страны СНГ
STD30NF06T4
STMicroelectronics
18 ₽
Maybo
Весь мир
STD30NF06T4
STMicroelectronics
57 ₽
STD30NF06T4
STMicroelectronics
от 119 ₽
STD30NF06T4
Panasonic
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

STD30NF06 THERMAL DATA
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 2.14 °C/W Rthj-amb Thermal Resistance Junction-ambient Max 100 °C/W Tl Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose 275 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified) OFF
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
V(BR)DSS Drain-source ID = 250 µA, VGS = 0 60 V Breakdown Voltage IDSS Zero Gate Voltage VDS = Max Rating 1 µA Drain Current (VGS = 0) VDS = Max Rating TC = 100°C 10 µA IGSS Gate-body Leakage VGS = ± 20 V ±100 nA Current (VDS = 0) ON (*
) Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS ID = 250 µA 2 4 V Static Drain-source On V R GS = 10 V ID = 15 A 0.020 0.028 Ω DS(on) Resistance DYNAMIC
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
gfs (*) Forward Transconductance VDS = 15 V ID = 15 A 40 S Ciss Input Capacitance VDS = 25V, f = 1 MHz, VGS = 0 1750 pF Coss Output Capacitance 220 pF Crss Reverse Transfer 70 pF Capacitance 2/10
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка