Источники питания Keen Side

Datasheet 2SK2225 (Renesas) - 2

ПроизводительRenesas
Описание1500V -2A - MOS FET High Speed Power Switching
Страниц / Страница7 / 2 — Electrical Characteristics. Item. Symbol. Min. Typ. Max. Unit. Test …
Формат / Размер файлаPDF / 321 Кб
Язык документаанглийский

Electrical Characteristics. Item. Symbol. Min. Typ. Max. Unit. Test conditions

Electrical Characteristics Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions

14 предложений от 14 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 1.5kV 2A 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Box
AllElco Electronics
Весь мир
2SK2225-E
Renesas
118 ₽
Элитан
Россия
2SK2225-E
Renesas
432 ₽
Maybo
Весь мир
2SK2225-E
Renesas
795 ₽
2SK2225E/HIT/ROHS
Hitachi
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

2SK2225
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions
Drain to source breakdown voltage V(BR)DSS 1500 — — V ID = 10 mA, VGS = 0 Gate to source leak current IGSS — — 1 A VGS = 20 V, VDS = 0 Zero gate voltage drain current IDSS — — 500 A VDS =1200 V, VGS = 0 Gate to source cutoff voltage VGS(off) 2.0 — 4.0 V ID = 1 mA, VDS = 10 V Static drain to source on state RDS(on) — 9 12 ID = 1 A, VGS = 15 V*3 resistance Forward transfer admittance |yfs| 0.45 0.75 — S ID = 1 A, VDS = 20 V*3 Input capacitance Ciss — 990 — pF VDS = 10 V, VGS = 0, Output capacitance Coss — 125 — pF f = 1 MHz Reverse transfer capacitance Crss — 60 — pF Turn-on delay time td(on) — 17 — ns ID = 1 A, VGS = 10 V, Rise time t RL = 30 r — 50 — ns Turn-off delay time td(off) — 150 — ns Fall time tf — 50 — ns Body to drain diode forward voltage VDF — 0.9 — V IF = 2 A, VGS = 0 Body to drain diode reverse trr — 1750 — ns IF = 2 A, VGS = 0, recovery time diF / dt = 100 A / s Note: 3. Pulse Test R07DS1358EJ0400 Rev.4.00 Page 2 of 6 Dec 06, 2017
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка