AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet 2SK2225 (Renesas) - 3

ПроизводительRenesas
Описание1500V -2A - MOS FET High Speed Power Switching
Страниц / Страница7 / 3 — Main Characteristics
Формат / Размер файлаPDF / 321 Кб
Язык документаанглийский

Main Characteristics

Main Characteristics

20 предложений от 15 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 1.5kV 2A 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Box
ЧипСити
Россия
2SK2225-E
Renesas
103 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
2SK2225-E
Renesas
124 ₽
Maybo
Весь мир
2SK2225-E
Renesas
841 ₽
МосЧип
Россия
2SK2225-E
Renesas
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

2SK2225
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating Maximum Safe Operation Area 80 10 10 μs 100 3 PW = 10 m μ 60 1 ms s (A) 1 DC Ope D s (1shot) 40 0.3 ration (Tc = 25 0.1 Operation in this area is 20 limited by R ° DS(on) C) Drain Current I 0.03 Channel Dissipation Pch (W) Ta = 25°C 0.01 0 50 100 150 200 10 30 100 300 1000 3000 10000 Case Temperature TC (°C) Drain to Source Voltage VDS (V) Typical Output Characteristics Typical Transfer Characteristics 5 2.0 15 V 10 V 8 V Pulse Test V 4 1.6 DS = 25 V Pulse Test (A) (A) 7 V D D 3 1.2 6 V 2 0.8 Tc = 75°C 25°C Drain Current I 5 V Drain Current I 1 0.4 –25°C VGS = 4 V 0 20 40 60 80 100 0 2 4 6 8 10 Drain to Source Voltage VDS (V) Gate to Source Voltage VGS (V) Drain to Source Saturation Voltage Static Drain to Source on State vs. Gate to Source Voltage Resistance vs. Drain Current (V) Ω 50 ( 50 DS (on) Pulse Test DS (on) 40 20 VGS = 10 V ID = 3 A 10 15 V 30 5 2 A 20 2 1 A Pulse Test 10 1 0.5 A 0.5 0 4 8 12 16 20 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 Static Drain to Source on State Resistance R Drain to Source Saturation Voltage V Gate to Source Voltage VGS (V) Drain Current ID (A) R07DS1358EJ0400 Rev.4.00 Page 3 of 6 Dec 06, 2017
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка