Клеммники KEEN SIDE

Datasheet BSS89 (Infineon) - 2

ПроизводительInfineon
ОписаниеSIPMOS Small-Signal-Transistor
Страниц / Страница8 / 2 — Rev. 2.2. BSP89. Thermal Characteristics Parameter. Symbol. Values. Unit. …
Версия02_02
Формат / Размер файлаPDF / 668 Кб
Язык документаанглийский

Rev. 2.2. BSP89. Thermal Characteristics Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. Characteristics. Electrical Characteristics

Rev 2.2 BSP89 Thermal Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max Characteristics Electrical Characteristics

55 предложений от 19 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
727GS
Весь мир
BSP89H6327XTSA1
Infineon
от 3.23 ₽
BSP89H6327XTSA1
Infineon
от 47 ₽
Эиком
Россия
BSP89H6327XTSA1
Infineon
от 52 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
BSP89H6327XTSA1
Infineon
от 55 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Rev. 2.2 BSP89 Thermal Characteristics Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point RthJS - - 25 K/W (Pin 4) SMD version, device on PCB: RthJA @ min. footprint - - 115 @ 6 cm2 cooling area 1) - - 70
Electrical Characteristics
, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS 240 - - V VGS=0, ID=250µA Gate threshold voltage, VGS = VDS VGS(th) 0.8 1.4 1.8 ID=108µA Zero gate voltage drain current IDSS µA VDS=240V, VGS=0, Tj=25°C - - 0.1 VDS=240V, VGS=0, Tj=150°C - - 10 Gate-source leakage current IGSS - - 10 nA VGS=20V, VDS=0 Drain-source on-state resistance RDS(on) - 4.9 7.5 W VGS=4.5V, ID=0.32A Drain-source on-state resistance RDS(on) - 4.2 6 VGS=10V, ID=0.35A 1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection. PCB is vertical without blown air. Page 2 2012-11-29
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка