KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet BSS89 (Infineon) - 3

ПроизводительInfineon
ОписаниеSIPMOS Small-Signal-Transistor
Страниц / Страница8 / 3 — Rev. 2.2. BSP89. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. …
Версия02_02
Формат / Размер файлаPDF / 668 Кб
Язык документаанглийский

Rev. 2.2. BSP89. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Conditions. Values. Unit. min. typ. max. Dynamic Characteristics

Rev 2.2 BSP89 Electrical Characteristics Parameter Symbol Conditions Values Unit min typ max Dynamic Characteristics

7 предложений от 7 поставщиков
SIPMOS Small-Signal Transistor
T-electron
Россия и страны СНГ
BSS92
Infineon
34 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
5SGXMA5N3F45I3N
Altera
660 810 ₽
BSS89E6288
Infineon
по запросу
BSS89
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Rev. 2.2 BSP89 Electrical Characteristics
, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Values Unit min. typ. max. Dynamic Characteristics
Transconductance gfs VDS³2*ID*RDS(on)max, 0.18 0.36 - S ID=0.28A Input capacitance Ciss VGS=0, VDS=25V, - 80 140 pF Output capacitance C f=1MHz oss - 11.2 16.8 Reverse transfer capacitance Crss - 5.2 7.8 Turn-on delay time td(on) VDD=120V, VGS=10V, - 4 6 ns Rise time t I r D=0.35A, RG=6W - 3.5 5.3 Turn-off delay time td(off) - 15.9 23.8 Fall time tf - 18.4 27.6
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge Qgs VDD=192V, ID=0.35A - 0.2 0.3 nC Gate to drain charge Qgd - 2 3 Gate charge total Qg VDD=192V, ID=0.35A, - 4.3 6.4 VGS=0 to 10V Gate plateau voltage V(plateau) VDD=192V, ID = 0.35 A - 3.1 - V
Reverse Diode
Inverse diode continuous IS TA=25°C - - 0.35 A forward current Inv. diode direct current, pulsed ISM - - 1.4 Inverse diode forward voltage VSD VGS=0, IF = IS - 0.85 1.2 V Reverse recovery time trr VR=120V, IF=lS, - 67 100 ns Reverse recovery charge Q di rr F/dt=100A/µs - 123 184 nC Page 3 2012-11-29
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России