Datasheet BSS89 (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	SIPMOS Small-Signal-Transistor
Страниц / Страница	8 / 7 — Rev. 2.2. BSP89. 13 Typ. gate charge. 14 Drain-source breakdown voltage
Версия	02_02
Формат / Размер файла	PDF / 668 Кб
Язык документа	английский

Rev. 2.2. BSP89. 13 Typ. gate charge. 14 Drain-source breakdown voltage

1 2 3

...

1 2 3

...

Купить BSP89H6327XTSA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.29 до 76 ₽ 49 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 240 В, 350 мА, 4.2 Ом, SOT-223, Surface Mount
Lixinc Electronics Весь мир	BSP89H6327XTSA1 Infineon	от 20 ₽
Компонентс Ру Россия	BSP89H6327XTSA1 Infineon	от 34 ₽
ТМ Электроникс Россия	BSP89H6327XTSA1 Infineon	от 57 ₽
Триема Россия	BSP89H6327XTSA1 Infineon	76 ₽

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

BSS89

BSP89H6327XTSA1

Текстовая версия документа

Rev. 2.2 BSP89 13 Typ. gate charge 14 Drain-source breakdown voltage
VGS = f (QG); parameter: VDS , V(BR)DSS = f (Tj) ID = 0.35 A pulsed, Tj = 25 °C BSP89 BSP89 16 291 V V 276 12 271 GS 266 10 (BR)DSS V V 261 0.2 VDS max 256 8 0.5 VDS max 251 246 6 0.8 VDS max 241 4 236 231 2 226 221 0 216 0 1 2 3 4 5 nC 6.5 -60 -20 20 60 100 °C 180 QG Tj Page 7 2012-11-29

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring