Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet 2N6052, 2N6058, 2N6059 (ON Semiconductor) - 2

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеDarlington Complementary Silicon Power Transistors
Страниц / Страница7 / 2 — 2N6052. *ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. …
Формат / Размер файлаPDF / 180 Кб
Язык документаанглийский

2N6052. *ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. Unit. OFF CHARACTERISTICS. ON CHARACTERISTICS (2)

2N6052 *ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS (2)

32 предложений от 21 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, MULTICOMP 2N6058 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
IC Home
Весь мир
2N6058
Microchip
4 287 ₽
LifeElectronics
Россия
2N605+8
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
JANTX2N6058
по запросу
2N6058/TI
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

2N6052
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (2) V Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ CEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6058 80 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 2N6052, 2N6059 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 100 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEO mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6058 ÎÎÎÎÎÎ — ÎÎÎ 1.0 ÎÎ (VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6052, 2N6059 — 1.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current ICEX mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ (VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.5 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 5.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Emitter Cutoff Current IEBO — ÎÎÎÎ 2.0 mAdc (V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ BE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain h — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ FE ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 — ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage V ÎÎÎÎ CE(sat) Vdc (I ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) ÎÎÎÎÎÎ — ÎÎÎ 2.0 ÎÎ (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) — 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 4.0 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage VBE(on) — 2.8 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short Circuit Forward ÎÎÎÎÎ |hfe| ÎÎÎ 4.0 ÎÎÎÎ — ÎÎÎ MHz Current Transfer Ratio ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Output Capacitance 2N6052 Cob — 500 pF (V — 300 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6058/2N6059 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Small−Signal Current Gain hfe ÎÎÎ 300 ÎÎÎÎ — — (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *Indicates JEDEC Registered Data. ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (2) Pulse test: Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle = 2.0%. VCC 10 RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS −30 V 2N6052 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 5.0 2N6059 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW I SCOPE ts B ≈ 100 mA TUT V 2.0 2 RB approx tf (s)μ +8.0 V 1.0 D 51 1 ≈ 5.0 k ≈ 50 0 t, TIME tr V1 0.5 approx +4.0 V VCC = 30 V −8.0 V t 25 μs d @ VBE(off) = 0 for td and tr, D1 is disconnected IC/IB = 250 and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2 tr, tf ≤ 10 ns T DUTY CYCLE = 1.0% J = 25°C 0.1 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20 For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times http://onsemi.com 2
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка