Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet 1N914 (Vishay)

ПроизводительVishay
ОписаниеSmall Signal Fast Switching Diodes
Страниц / Страница3 / 1 — 1N914. Small Signal Fast Switching Diodes. FEATURES. ADDITIONAL …
Версия01-Jan-2021
Формат / Размер файлаPDF / 71 Кб
Язык документаанглийский

1N914. Small Signal Fast Switching Diodes. FEATURES. ADDITIONAL RESOURCES. D 3. 3 D. MECHANICAL DATA Case:. Weight:

Datasheet 1N914 Vishay, Версия: 01-Jan-2021

35 предложений от 13 поставщиков
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация 100 Volt 300mA
AiPCBA
Весь мир
1N914TAP
Vishay
2.16 ₽
1N914TAP
Vishay
от 3.51 ₽
1N914TAP
Vishay
от 3.92 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
1N914TAP
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

1N914
www.vishay.com Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diodes FEATURES
• Fast switching speed • High reliability • High conductance • For general purpose switching applications • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
ADDITIONAL RESOURCES D 3 3 D
3D Models
MECHANICAL DATA Case:
DO-35 (DO-204AH)
Weight:
approx. 125 mg
Cathode band color:
black
Packaging codes / options:
TR/10K per 13" reel (52 mm tape), 50K/box TAP/10K per ammopack (52 mm tape), 50K/box
PARTS TABLE PART ORDERING CODE TYPE MARKING CIRCUIT CONFIGURATION REMARKS
1N914 1N914TR or 1N914TAP 1N914 Single Tape and reel / ammopack
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT
Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 V Working peak reverse voltage VRWM 75 V DC blocking voltage VR 75 V RMS Reverse voltage VR(RMS) 53 V Forward continuous current IF 300 mA Half wave rectification with Average rectified current I resistive load and f > 50 MHz F(AV) 200 mA t = 1 s IFSM 1 A Non repetitive peak forward surge current t = 1 μs IFSM 4 A Power dissipation l = 4 mm, TL = 25 °C Ptot 500 mW
THERMAL CHARACTERISTICS
(Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT
Thermal resistance junction to ambient air l = 4 mm, TL = constant RthJA 300 K/W Junction temperature Tj 175 °C Storage temperature range Tstg -65 to +175 °C Rev. 2.0, 24-Feb-2020
1
Document Number: 85622 For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка