Источники питания KEEN SIDE

Datasheet UF3C065080B7S (UnitedSiC) - 8

ПроизводительUnitedSiC
Описание650V-85mW SiC FET
Страниц / Страница10 / 8 — 30. 1,000. Ciss. ). 25. ). A(. pF. I. D. (. t,. 20. C. 100. n. ,. Coss. …
Формат / Размер файлаPDF / 441 Кб
Язык документаанглийский

30. 1,000. Ciss. ). 25. ). A(. pF. I. D. (. t,. 20. C. 100. n. ,. Coss. e. e. rr. nc. 15. Cu. ita. 10. n. ac. ai. p. r. D. 10. Ca. Crss. C. 1. D. 5. 0. 0. 0. 100. 200. 300. 400. 500. 600. -75. -50. -25. 0. 25. 50. 75. 100. 125. 150

30 1,000 Ciss ) 25 ) A( pF I D ( t, 20 C 100 n , Coss e e rr nc 15 Cu ita 10 n ac ai p r D 10 Ca Crss C 1 D 5 0 0 0 100 200 300 400 500 600 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150

19 предложений от 7 поставщиков
Транзисторы - FETs
AllElco Electronics
Весь мир
UF3C065080B7S
UnitedSiC
от 542 ₽
UF3C065080B7S
ON Semiconductor
от 1 177 ₽
Эиком
Россия
UF3C065080B7S
ON Semiconductor
от 1 273 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
UF3C065080B7S
UnitedSiC
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

30 1,000 Ciss ) 25 ) A( pF I D ( t, 20 C 100 n , Coss e e rr nc 15 Cu ita 10 n ac ai p r D 10 Ca Crss C 1 D 5 0 0 0 100 200 300 400 500 600 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Drain-Source Voltage, VDS (V) Case Temperature, TC (°C) Figure 13. Typical capacitances at f = 100kHz and VGS Figure 14. DC drain current derating = 0V 150 1 ) W( /W C ot °( P t , 100 n JC io Z q 0.1 , D = 0.5 at e ip nc D = 0.3 ss a i d D = 0.1 D r 50 D = 0.05 e mpeI 0.01 w l o a D = 0.02 P mre D = 0.01 Th Single Pulse 0 0.001 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 Case Temperature, TC (°C) Pulse Time, tp (s) Figure 15. Total power dissipation Figure 16. Maximum transient thermal impedance Datasheet: UF3C065080B7S Rev. A, November 2020 8
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка