Поставки продукции Megawin по официальным каналам - микроконтроллеры, мосты USB-UART

Datasheet UF3C065080B7S (UnitedSiC) - 8

ПроизводительUnitedSiC
Описание650V-85mW SiC FET
Страниц / Страница10 / 8 — 30. 1,000. Ciss. ). 25. ). A(. pF. I. D. (. t,. 20. C. 100. n. ,. Coss. …
Формат / Размер файлаPDF / 441 Кб
Язык документаанглийский

30. 1,000. Ciss. ). 25. ). A(. pF. I. D. (. t,. 20. C. 100. n. ,. Coss. e. e. rr. nc. 15. Cu. ita. 10. n. ac. ai. p. r. D. 10. Ca. Crss. C. 1. D. 5. 0. 0. 0. 100. 200. 300. 400. 500. 600. -75. -50. -25. 0. 25. 50. 75. 100. 125. 150

30 1,000 Ciss ) 25 ) A( pF I D ( t, 20 C 100 n , Coss e e rr nc 15 Cu ita 10 n ac ai p r D 10 Ca Crss C 1 D 5 0 0 0 100 200 300 400 500 600 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150

10 предложений от 2 поставщиков
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Зенер
Россия и страны ТС
UF3C065080B7S
от 1 072 ₽
ЭИК
Россия
UF3C065080B7S
Qorvo
от 1 132 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

30 1,000 Ciss ) 25 ) A( pF I D ( t, 20 C 100 n , Coss e e rr nc 15 Cu ita 10 n ac ai p r D 10 Ca Crss C 1 D 5 0 0 0 100 200 300 400 500 600 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Drain-Source Voltage, VDS (V) Case Temperature, TC (°C) Figure 13. Typical capacitances at f = 100kHz and VGS Figure 14. DC drain current derating = 0V 150 1 ) W( /W C ot °( P t , 100 n JC io Z q 0.1 , D = 0.5 at e ip nc D = 0.3 ss a i d D = 0.1 D r 50 D = 0.05 e mpeI 0.01 w l o a D = 0.02 P mre D = 0.01 Th Single Pulse 0 0.001 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 Case Temperature, TC (°C) Pulse Time, tp (s) Figure 15. Total power dissipation Figure 16. Maximum transient thermal impedance Datasheet: UF3C065080B7S Rev. A, November 2020 8
Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс