OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet UF3C120150B7S (UnitedSiC) - 8

ПроизводительUnitedSiC
Описание1200V-150mW SiC Cascode
Страниц / Страница10 / 8 — 10,000. 18. 16. ). C. A. 1,000. iss. (. 14. pF. I. D. (. t,. 12. C. n. ,. …
Формат / Размер файлаPDF / 420 Кб
Язык документаанглийский

10,000. 18. 16. ). C. A. 1,000. iss. (. 14. pF. I. D. (. t,. 12. C. n. ,. e. e. rr. 10. nc. 100. Cu. ita. C. n. 8. ac. oss. ai. p. r. D. 6. Ca. 10. C. D. 4. Crss. 2. 1. 0. 0. 200. 400. 600. 800. 1000. 1200. -75. -50. -25. 0. 25. 50. 75

10,000 18 16 ) C A 1,000 iss ( 14 pF I D ( t, 12 C n , e e rr 10 nc 100 Cu ita C n 8 ac oss ai p r D 6 Ca 10 C D 4 Crss 2 1 0 0 200 400 600 800 1000 1200 -75 -50 -25 0 25 50 75

Элитан
Россия
SFAF504G
Taiwan Semiconductor
59 ₽
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

10,000 18 16 ) C A 1,000 iss ( 14 pF I D ( t, 12 C n , e e rr 10 nc 100 Cu ita C n 8 ac oss ai p r D 6 Ca 10 C D 4 Crss 2 1 0 0 200 400 600 800 1000 1200 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Drain-Source Voltage, VDS (V) Case Temperature, TC (°C) Figure 13. Typical capacitances at f = 100kHz and VGS Figure 14. DC drain current derating = 0V 150 ) 125 1 W( /W C ot °( P t , 100 n JC io Z q , 0.1 D = 0.5 at e ip 75 nc D = 0.3 ss a i d D = 0.1 D r 50 D = 0.05 e mpeI w l 0.01 o a D = 0.02 P 25 mre D = 0.01 Th Single Pulse 0 0.001 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 Case Temperature, TC (°C) Pulse Time, tp (s) Figure 15. Total power dissipation Figure 16. Maximum transient thermal impedance Datasheet: UF3C120150B7S Rev. A, January 2021 8
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России