Datasheet NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG (ON Semiconductor) - 7

Производитель	ON Semiconductor
Описание	F1-2PACK SiC MOSFET Module
Страниц / Страница	12 / 7 — NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE …
Версия	P2
Формат / Размер файла	PDF / 2.2 Мб
Язык документа	английский

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE (pF). ACIT. CAP. VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить NXH010P120MNF1PNG на РадиоЛоцман.Цены — от 8 479 до 22 392 ₽ 12 предложений от 7 поставщиков Module; transistor/transistor; 1.2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB
AllElco Electronics Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 13 944 ₽
Компонентс Ру Россия	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 19 531 ₽
ТМ Электроникс Россия	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 21 297 ₽
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	по запросу

SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

NXH010P120MNF1

NXH010P120MNF1PNG

Текстовая версия документа

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG TYPICAL CHARACTERISTICS
SiC MOSFET (M1, M2)
ANCE (pF) ACIT CAP VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 9. Capacitance vs. Drain−to−Source Voltage
5
C/W] DUTY CYCLE PEAK RESPONSE [ PULSE ON TIME [s] Figure 10. SiC Mosfet Junction− to−Case Transient Thermal Impedance Element # M1 M2 Rth (K/W) Cth (Ws/K) Rth (K/W) Cth (Ws/K)
1 0.00569 0.00195 0.01290 0.00461 2 0.01079 0.00951 0.02387 0.02538 3 0.03005 0.01813 0.04253 0.02953 4 0.08398 0.08121 0.07199 0.08994 5 0.09325 0.11117 0.07823 0.06854
Figure 11. Table of Cauer Networks−M1, M2 www.onsemi.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Запускаем вывод текста и изображений на OLED-дисплеи JIRUN через UART и SPI

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring