Datasheet NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG (ON Semiconductor) - 7

Производитель	ON Semiconductor
Описание	F1-2PACK SiC MOSFET Module
Страниц / Страница	12 / 7 — NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE …
Версия	P2
Формат / Размер файла	PDF / 2.2 Мб
Язык документа	английский

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE (pF). ACIT. CAP. VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить NXH010P120MNF1PNG на РадиоЛоцман.Цены — от 8 300 до 22 392 ₽ 9 предложений от 5 поставщиков Транзистор: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
AiPCBA Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	8 300 ₽
AllElco Electronics Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 13 650 ₽
Эиком Россия	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 20 606 ₽
Элитан Россия	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	22 392 ₽

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

NXH010P120MNF1

NXH010P120MNF1PNG

Текстовая версия документа

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG TYPICAL CHARACTERISTICS
SiC MOSFET (M1, M2)
ANCE (pF) ACIT CAP VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 9. Capacitance vs. Drain−to−Source Voltage
5
C/W] DUTY CYCLE PEAK RESPONSE [ PULSE ON TIME [s] Figure 10. SiC Mosfet Junction− to−Case Transient Thermal Impedance Element # M1 M2 Rth (K/W) Cth (Ws/K) Rth (K/W) Cth (Ws/K)
1 0.00569 0.00195 0.01290 0.00461 2 0.01079 0.00951 0.02387 0.02538 3 0.03005 0.01813 0.04253 0.02953 4 0.08398 0.08121 0.07199 0.08994 5 0.09325 0.11117 0.07823 0.06854
Figure 11. Table of Cauer Networks−M1, M2 www.onsemi.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Литий-тионилхлоридные батарейки – большая энергия в миниатюрном корпусе

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring