PROM2PROM - кабинет для закупа электронных компонентов

Datasheet CBR1, CBR2 (Central Semiconductor)

ПроизводительCentral Semiconductor
ОписаниеSILICON BRIDGE RECTIFIERS
Страниц / Страница4 / 1 — CBR1 SERIES CBR2 SERIES. w w w. c e n t r a l s e m i . c o m. …
Формат / Размер файлаPDF / 736 Кб
Язык документаанглийский

CBR1 SERIES CBR2 SERIES. w w w. c e n t r a l s e m i . c o m. DESCRIPTION:. SILICON BRIDGE RECTIFIERS

Datasheet CBR1, CBR2 Central Semiconductor

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Элитан
Россия
C801340 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
CBR22A(B3)180 577 ₽
ТаймЧипс
Россия
CBR2-100по запросу
Алкалиновые батарейки POWER FLASH – новая продукция в линейке поставок Компэл

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

CBR1 SERIES CBR2 SERIES w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: SILICON BRIDGE RECTIFIERS
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1 and CBR2 series devices are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers designed for general purpose applications.
MARKING: FULL PART NUMBER CASE A MAXIMUM RATINGS:
(TA=50°C)
CBR1 CBR1 CBR1 CBR1 CBR1 CBR1 CBR2 CBR2 CBR2 CBR2 CBR2 CBR2 SYMBOL -010 -020 -040 -060 -080 -100 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

200

400

600

800 1000 V DC Blocking Voltage VR 100

200

400

600

800 1000 V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 70 140 280 420 560 700 V Average Forward Current (CBR1) IO 1.5 A Average Forward Current (CBR2) IO 2.0 A Peak Forward Surge Current (CBR1) IFSM 50 A Peak Forward Surge Current (CBR2) IFSM 60 A Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX UNITS
IR VR=Rated VRRM 10 μA VF (CBR1) IF=1.0A 1.0 V VF (CBR2) IF=2.0A 1.1 V R1 (31-July 2013)
Corebai - АЦП, ЦАП, ОУ, интерфейсы и другие аналоговые микросхемы поступили на склад