Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet 2N3019, 2N3020 (Comset Semiconductors)

ПроизводительComset Semiconductors
ОписаниеSilicon Planar Epitaxial Transistors
Страниц / Страница4 / 1 — NPN 2N3019 – 2N3020. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
Формат / Размер файлаPDF / 89 Кб
Язык документаанглийский

NPN 2N3019 – 2N3020. SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

Datasheet 2N3019, 2N3020 Comset Semiconductors

44 предложений от 25 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, MULTICOMP 2N3019 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 400MHz, 800mW, 1A, 50 hFE
Зенер
Россия и страны ТС
2N3019 PBFREE
от 94 ₽
AiPCBA
Весь мир
2N3019
Multicomp
137 ₽
2N3019
Multicomp Pro
от 196 ₽
LifeElectronics
Россия
2N3019S-JANTX
STMicroelectronics
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

NPN 2N3019 – 2N3020
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
The 2N3019 and 2N3020 are NPN transistors mounted in TO-39 metal case .
They are intended for high-current, high-frequency amplifier applications.
They feature high gain and low saturation voltages.
Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol Ratings VCEO Collector-Emitter Voltage VCBO Collector-Base Voltage VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current PD Total Power Dissipation @ Tamb = 25° PD Total Power Dissipation @ Tcase= 25° TJ Junction Temperature TStg Storage Temperature range 2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020
2N3019
2N3020 Value Unit 80 V 140 V 7 V 1 A 0.8
Watts
5
200 °C -65 to +200 °C Value Unit 35 °C/W 219 °C/W THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol Ratings RthJ-a Thermal Resistance, Junction to ambient in free
air RthJ-c Thermal Resistance, Junction to case COMSET SEMICONDUCTORS 2N3019
2N3020
2N3019
2N3020 1/4
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка