Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet FDV303N (ON Semiconductor) - 2

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеDigital FET, N-Channel
Страниц / Страница7 / 2 — FDV303N. MOSFET MAXIMUM RATINGS. Symbol. Parameter. Units. THERMAL …
Версия5
Формат / Размер файлаPDF / 270 Кб
Язык документаанглийский

FDV303N. MOSFET MAXIMUM RATINGS. Symbol. Parameter. Units. THERMAL CHARACTERISTICS. Ratings. ORDERING INFORMATION. Device. Package

FDV303N MOSFET MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Units THERMAL CHARACTERISTICS Ratings ORDERING INFORMATION Device Package

N-Channel Digital FET 25V, 0.68A, 0.45Ω, 3000-REEL
Augswan
Весь мир
FDV303N_F169
ON Semiconductor
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
FDV303N-F169
ON Semiconductor
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
FDV303N-F169
ON Semiconductor
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FDV303N MOSFET MAXIMUM RATINGS
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter FDV303N Units
VDSS Drain−Source Voltage, Power Supply Voltage 25 V VGSS Gate−Source Voltage, VIN 8 V ID Drain/Output Current A − Continuous 0.68 − Pulsed 2 PD Maximum Power Dissipation 0.35 W TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range −55 to 150 °C ESD Electrostatic Discharge Rating MIL−STD−883D Human Body Model 6.0 kV (100 pf / 1500 W)
THERMAL CHARACTERISTICS Symbol Parameter Ratings Units
RθJA Thermal Resistance, Junction−to−Ambient 357 °C/W
ORDERING INFORMATION Device Package Shipping†
FDV303N SOT−23 3000 / Tape & Reel Case 318−08 †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.
www.onsemi.com 2
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка