Источники питания Keen Side

Datasheet FDV303N (ON Semiconductor) - 2

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеDigital FET, N-Channel
Страниц / Страница7 / 2 — FDV303N. MOSFET MAXIMUM RATINGS. Symbol. Parameter. Units. THERMAL …
Версия5
Формат / Размер файлаPDF / 270 Кб
Язык документаанглийский

FDV303N. MOSFET MAXIMUM RATINGS. Symbol. Parameter. Units. THERMAL CHARACTERISTICS. Ratings. ORDERING INFORMATION. Device. Package

FDV303N MOSFET MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Units THERMAL CHARACTERISTICS Ratings ORDERING INFORMATION Device Package

58 предложений от 27 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 20Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,25Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 300Емкость, пФ:...
Элрус
Россия
FDV303N
1.48 ₽
ЭК ЗИП
Россия
FDV303N
от 1.74 ₽
FDV303N
ON Semiconductor
от 14 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
FDV303N (303 JC303)
от 20 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FDV303N MOSFET MAXIMUM RATINGS
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter FDV303N Units
VDSS Drain−Source Voltage, Power Supply Voltage 25 V VGSS Gate−Source Voltage, VIN 8 V ID Drain/Output Current A − Continuous 0.68 − Pulsed 2 PD Maximum Power Dissipation 0.35 W TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range −55 to 150 °C ESD Electrostatic Discharge Rating MIL−STD−883D Human Body Model 6.0 kV (100 pf / 1500 W)
THERMAL CHARACTERISTICS Symbol Parameter Ratings Units
RθJA Thermal Resistance, Junction−to−Ambient 357 °C/W
ORDERING INFORMATION Device Package Shipping†
FDV303N SOT−23 3000 / Tape & Reel Case 318−08 †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.
www.onsemi.com 2
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка