Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet FDN337N (Fairchild) - 4

ПроизводительFairchild
ОписаниеN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Страниц / Страница5 / 4 — Typical Electrical Characteristics (continued). Figure 7. Gate Charge …
Формат / Размер файлаPDF / 283 Кб
Язык документаанглийский

Typical Electrical Characteristics (continued). Figure 7. Gate Charge Characteristics

Typical Electrical Characteristics (continued) Figure 7 Gate Charge Characteristics

81 предложений от 34 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 2,2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 65Емкость, пФ:...
FDN337N-EV
от 14 ₽
DIP8.RU
Россия и страны ТС
FDN337N
от 15 ₽
Эиком
Россия
FDN337N
ON Semiconductor
от 28 ₽
SUV System
Весь мир
FDN337N
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Typical Electrical Characteristics (continued)
1000 5 I = 2.2A D V = 5V DS 500 4 15V 10V C iss 200 3 C oss 100 2 CAPACITANCE (pF) 50 f = 1 MHz 1 V = 0V C GS rss GSV , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) 200.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 0 0 2 4 6 8 V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) DS Q , GATE CHARGE (nC) g
Figure 7. Gate Charge Characteristics. Figure 8. Capacitance Characteristics.
20 50 1ms 10 SINGLE PULSE 5 10ms 40 RDS(ON) LIMIT R =270° C/W θJA 2 T = 25°C A 30 1 100ms 1s 0.3 20 10s POWER (W) DC 0.1 V = 4.5V GS 10 I , DRAIN CURRENT (A) D SINGLE PULSE 0.03 R =250 °C/W θJA T = 25°C A 0 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300 0.1 0.5 1 2 5 10 20 50 SINGLE PULSE TIME (SEC) V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V) DS
Figure 9. Maximum Safe Operating Area. Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation.
1 D = 0.5 0.5 0.2 0.2 R (t) = r(t) * R θJA θJA 0.1 R = 270 °C/W 0.1 θJA 0.05 0.05 0.02 P(pk) 0.02 0.01 t 0.01 1 Single Pulse t 2 0.005 T - T = P * R (t) J A θJA r(t), NORMALIZED EFFECTIVE Duty Cycle, D = t /t 0.002 1 2 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300 t , TIME (sec) 1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b. Transient thermal response will change depending on the circuit board design. FDN337N Rev.C
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка